前向偏压英文解释翻译、前向偏压的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 forward bias

former; forward; front; preceding; priority
【医】 a.; ante-; antero-; fore-; pro-; proso-; ventri-; ventro-

always; at; be partial to; direction; face; out; to; toward
【医】 ad-; ak-; ob-

【电】 bias; bias voltage

"前向偏压"（Forward Bias）是半导体器件领域的重要术语，指在PN结两端施加正向电压的极化状态。在电子工程中，该概念主要描述以下特性：

载流子传导机制
当外电压的正极连接P型半导体、负极连接N型半导体时，空穴和自由电子会分别向结区移动，导致耗尽层宽度减小。这种现象在二极管中形成导通条件，典型导通电压为0.3V（锗管）至0.7V（硅管）[参考《电子技术基础》第五版]。
伏安特性曲线
遵循肖克利二极管方程： $$ I = I_s(e^{frac{V}{eta V_T}} - 1) $$ 其中$I_s$为反向饱和电流，$eta$为理想因子，$V_T$为热电压（约26mV@300K）[来源：IEEE Xplore文献库]。
器件应用场景
在整流电路、LED驱动和晶体管偏置电路中，前向偏压状态直接影响器件的工作模式。例如：硅基肖特基二极管在0.3V偏压时即进入低阻抗状态（来源：安森美半导体应用手册）。
反向偏压对比
与反向偏压（Reverse Bias）形成核心对比：前向偏压降低势垒高度，反向偏压则增强耗尽层电场（参考：清华大学《微电子器件原理》课程讲义）。

前向偏压（正向偏压）是电子电路中用于控制半导体器件导通状态的关键电压配置，具体解释如下：

前向偏压指在半导体器件（如二极管、三极管）中，通过外部电压使PN结处于正向导通状态的电压配置。其核心作用是降低PN结的势垒，形成导电通路。

二极管应用
- 连接方式：电源正极接P型半导体，负极接N型半导体（如所述）
- 物理效应：外部电压抵消内建电场，耗尽层变窄，多数载流子扩散形成电流
- 典型特征：导通时压降较小（硅管约0.7V，锗管约0.3V）
三极管应用
- NPN型三极管需在基极-发射极间施加正向偏压，使发射结正偏（如所述）
- 此时集电结需保持反偏，形成放大工作状态

需要特别注意：反向偏压（截止状态）与前向偏压形成互补关系，两者共同构成半导体器件的双向控制特性。实际应用中需根据器件规格书选择合适偏压值，避免超过最大额定参数。