
碳化硅(Silicon Carbide),化学式为 SiC,是一种由硅(Silicon)和碳(Carbon)元素通过共价键结合形成的无机化合物。以下是其汉英词典角度的详细解释:
中文术语:碳化硅
英文术语:Silicon Carbide
化学式:SiC
一种人工合成的超硬材料,自然界中以莫桑石(Moissanite)形式罕见存在。其晶体结构多样,常见的有立方晶系的β-SiC和六方晶系的α-SiC(如4H-SiC、6H-SiC)。
物理特性
半导体电子
作为第三代半导体材料,用于制造高温、高频、高功率器件(如SiC MOSFET、肖特基二极管),提升电动汽车、光伏逆变器的能效。
工业材料
美国国家标准与技术研究院(NIST)将碳化硅归类为“高性能陶瓷”,强调其共价键结构与半导体特性(来源:NIST材料数据库)。
国际电气与电子工程师协会(IEEE)指出,SiC器件可减少能源转换损耗50%以上(来源:IEEE电力电子期刊)。
中国国家标准《GB/T 2480-2018》明确碳化硅磨料的技术指标与分类(来源:国家标准全文公开系统)。
碳化硅(Silicon Carbide, SiC)是一种由硅(Si)和碳(C)通过共价键结合形成的无机化合物,化学式为SiC。以下是其详细解释:
碳化硅在自然界中罕见,主要以矿物“莫桑石”形式存在,但工业上主要通过人工合成制备。其晶体结构多样,已知有约200种形态,常见六方晶体(如黑色和绿色碳化硅)和立方密排结构(如3C-SiC)。它的硬度极高(莫氏硬度约9.2-9.3),仅次于金刚石,且耐高温、耐腐蚀。
工业上通常以石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑等为原料,在电阻炉中高温(约2000℃)冶炼而成。生产绿色碳化硅时需添加食盐。
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