
【电】 four layer diode
four
【医】 quadri-; Quat; quattuor; tetra-
administrative levels; arrangement
【电】 level
twin; two
【计】 binary-coded decimal; binary-coded decimal character code
binary-to-decimal conversion; binary-to-hexadecimal conversion
【医】 bi-; bis-; di-; duo-
【医】 corpora polare; polar bo***s; polar cells; polar globules; polocyte
四层次二极体 (Four-layer Diode) 是一种特殊的半导体器件,其核心结构由交替排列的P型和N型半导体材料构成,形成四个不同的掺杂区域(PNPN结构)。它在特定电压条件下表现出独特的负阻特性(即电流增加时电压反而下降),主要功能是作为高速开关或触发器件。
以下是其关键特性的汉英对照解释:
特性维度 | 中文术语与解释 | 英文术语与解释 |
---|---|---|
结构特性 | 四层结构 (Four-layer Structure):由三个PN结串联构成的半导体器件,形成PNPN交替排列的物理基础。 | PNPN Structure:The fundamental arrangement of alternating P-type and N-type semiconductor layers, creating three internal junctions. |
工作原理 | 负阻效应 (Negative Resistance Effect):达到击穿电压后,电流急剧增大而端电压反而降低的特性。 | S-Type Negative Resistance:Exhibits a region in its current-voltage curve where increasing current leads to decreasing voltage. |
开关特性 | 双稳态开关 (Bistable Switch):器件具有稳定的高阻(关断)和低阻(导通)两种状态。 | Bistable Operation:Can maintain either a high-impedance (OFF) or low-impedance (ON) state until triggered to switch. |
触发机制 | 转折电压 (Breakover Voltage):使器件从关断态跃迁到导通态所需的最小阳极-阴极电压。 | Breakover Voltage (VBO):The minimum voltage required to trigger the device into conduction. |
典型应用 | 过压保护 (Overvoltage Protection):利用其快速导通特性吸收浪涌电流,保护敏感电路。 | Crowbar Circuit:Commonly used in circuits to short-circuit power supplies during voltage spikes, diverting excess current. |
技术细节补充:
参考资料:
“四层次二极体”是一种电子元件,其名称源于其内部半导体结构的四层设计。以下是详细解释:
如果需要更权威的电路特性或参数,可参考电力电子领域教材或半导体器件手册。
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