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四层次二极体英文解释翻译、四层次二极体的近义词、反义词、例句

英语翻译:

【电】 four layer diode

分词翻译:

四的英语翻译:

four
【医】 quadri-; Quat; quattuor; tetra-

层次的英语翻译:

administrative levels; arrangement
【电】 level

二的英语翻译:

twin; two
【计】 binary-coded decimal; binary-coded decimal character code
binary-to-decimal conversion; binary-to-hexadecimal conversion
【医】 bi-; bis-; di-; duo-

极体的英语翻译:

【医】 corpora polare; polar bo***s; polar cells; polar globules; polocyte

专业解析

四层次二极体 (Four-layer Diode) 是一种特殊的半导体器件,其核心结构由交替排列的P型和N型半导体材料构成,形成四个不同的掺杂区域(PNPN结构)。它在特定电压条件下表现出独特的负阻特性(即电流增加时电压反而下降),主要功能是作为高速开关或触发器件。

以下是其关键特性的汉英对照解释:

特性维度 中文术语与解释 英文术语与解释
结构特性 四层结构 (Four-layer Structure):由三个PN结串联构成的半导体器件,形成PNPN交替排列的物理基础。 PNPN Structure:The fundamental arrangement of alternating P-type and N-type semiconductor layers, creating three internal junctions.
工作原理 负阻效应 (Negative Resistance Effect):达到击穿电压后,电流急剧增大而端电压反而降低的特性。 S-Type Negative Resistance:Exhibits a region in its current-voltage curve where increasing current leads to decreasing voltage.
开关特性 双稳态开关 (Bistable Switch):器件具有稳定的高阻(关断)和低阻(导通)两种状态。 Bistable Operation:Can maintain either a high-impedance (OFF) or low-impedance (ON) state until triggered to switch.
触发机制 转折电压 (Breakover Voltage):使器件从关断态跃迁到导通态所需的最小阳极-阴极电压。 Breakover Voltage (VBO):The minimum voltage required to trigger the device into conduction.
典型应用 过压保护 (Overvoltage Protection):利用其快速导通特性吸收浪涌电流,保护敏感电路。 Crowbar Circuit:Commonly used in circuits to short-circuit power supplies during voltage spikes, diverting excess current.

技术细节补充:

  1. 等效电路模型:四层次二极体可等效为两个互补晶体管(PNP与NPN)的再生反馈组合。当其中一个晶体管导通时,会驱动另一个导通,形成正反馈回路,从而实现状态的快速翻转。
  2. 与晶闸管关系:其结构类似于无控制极(Gate)的简化晶闸管(SCR),因此也被称为肖克利二极管 (Shockley Diode),以发明者威廉·肖克利命名。
  3. 关键参数:除转折电压外,维持电流 (Holding Current, IH) 是维持导通状态所需的最小电流,若电流低于此值,器件将恢复关断状态。

参考资料:

网络扩展解释

“四层次二极体”是一种电子元件,其名称源于其内部半导体结构的四层设计。以下是详细解释:

1.基本定义与结构

2.工作原理

3.应用场景

4.注意事项

如果需要更权威的电路特性或参数,可参考电力电子领域教材或半导体器件手册。

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