
【電】 four layer diode
four
【醫】 quadri-; Quat; quattuor; tetra-
administrative levels; arrangement
【電】 level
twin; two
【計】 binary-coded decimal; binary-coded decimal character code
binary-to-decimal conversion; binary-to-hexadecimal conversion
【醫】 bi-; bis-; di-; duo-
【醫】 corpora polare; polar bo***s; polar cells; polar globules; polocyte
四層次二極體 (Four-layer Diode) 是一種特殊的半導體器件,其核心結構由交替排列的P型和N型半導體材料構成,形成四個不同的摻雜區域(PNPN結構)。它在特定電壓條件下表現出獨特的負阻特性(即電流增加時電壓反而下降),主要功能是作為高速開關或觸發器件。
以下是其關鍵特性的漢英對照解釋:
特性維度 | 中文術語與解釋 | 英文術語與解釋 |
---|---|---|
結構特性 | 四層結構 (Four-layer Structure):由三個PN結串聯構成的半導體器件,形成PNPN交替排列的物理基礎。 | PNPN Structure:The fundamental arrangement of alternating P-type and N-type semiconductor layers, creating three internal junctions. |
工作原理 | 負阻效應 (Negative Resistance Effect):達到擊穿電壓後,電流急劇增大而端電壓反而降低的特性。 | S-Type Negative Resistance:Exhibits a region in its current-voltage curve where increasing current leads to decreasing voltage. |
開關特性 | 雙穩态開關 (Bistable Switch):器件具有穩定的高阻(關斷)和低阻(導通)兩種狀态。 | Bistable Operation:Can maintain either a high-impedance (OFF) or low-impedance (ON) state until triggered to switch. |
觸發機制 | 轉折電壓 (Breakover Voltage):使器件從關斷态躍遷到導通态所需的最小陽極-陰極電壓。 | Breakover Voltage (VBO):The minimum voltage required to trigger the device into conduction. |
典型應用 | 過壓保護 (Overvoltage Protection):利用其快速導通特性吸收浪湧電流,保護敏感電路。 | Crowbar Circuit:Commonly used in circuits to short-circuit power supplies during voltage spikes, diverting excess current. |
技術細節補充:
參考資料:
“四層次二極體”是一種電子元件,其名稱源于其内部半導體結構的四層設計。以下是詳細解釋:
如果需要更權威的電路特性或參數,可參考電力電子領域教材或半導體器件手冊。
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