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四層次二極體英文解釋翻譯、四層次二極體的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯:

【電】 four layer diode

分詞翻譯:

四的英語翻譯:

four
【醫】 quadri-; Quat; quattuor; tetra-

層次的英語翻譯:

administrative levels; arrangement
【電】 level

二的英語翻譯:

twin; two
【計】 binary-coded decimal; binary-coded decimal character code
binary-to-decimal conversion; binary-to-hexadecimal conversion
【醫】 bi-; bis-; di-; duo-

極體的英語翻譯:

【醫】 corpora polare; polar bo***s; polar cells; polar globules; polocyte

專業解析

四層次二極體 (Four-layer Diode) 是一種特殊的半導體器件,其核心結構由交替排列的P型和N型半導體材料構成,形成四個不同的摻雜區域(PNPN結構)。它在特定電壓條件下表現出獨特的負阻特性(即電流增加時電壓反而下降),主要功能是作為高速開關或觸發器件。

以下是其關鍵特性的漢英對照解釋:

特性維度 中文術語與解釋 英文術語與解釋
結構特性 四層結構 (Four-layer Structure):由三個PN結串聯構成的半導體器件,形成PNPN交替排列的物理基礎。 PNPN Structure:The fundamental arrangement of alternating P-type and N-type semiconductor layers, creating three internal junctions.
工作原理 負阻效應 (Negative Resistance Effect):達到擊穿電壓後,電流急劇增大而端電壓反而降低的特性。 S-Type Negative Resistance:Exhibits a region in its current-voltage curve where increasing current leads to decreasing voltage.
開關特性 雙穩态開關 (Bistable Switch):器件具有穩定的高阻(關斷)和低阻(導通)兩種狀态。 Bistable Operation:Can maintain either a high-impedance (OFF) or low-impedance (ON) state until triggered to switch.
觸發機制 轉折電壓 (Breakover Voltage):使器件從關斷态躍遷到導通态所需的最小陽極-陰極電壓。 Breakover Voltage (VBO):The minimum voltage required to trigger the device into conduction.
典型應用 過壓保護 (Overvoltage Protection):利用其快速導通特性吸收浪湧電流,保護敏感電路。 Crowbar Circuit:Commonly used in circuits to short-circuit power supplies during voltage spikes, diverting excess current.

技術細節補充:

  1. 等效電路模型:四層次二極體可等效為兩個互補晶體管(PNP與NPN)的再生反饋組合。當其中一個晶體管導通時,會驅動另一個導通,形成正反饋回路,從而實現狀态的快速翻轉。
  2. 與晶閘管關系:其結構類似于無控制極(Gate)的簡化晶閘管(SCR),因此也被稱為肖克利二極管 (Shockley Diode),以發明者威廉·肖克利命名。
  3. 關鍵參數:除轉折電壓外,維持電流 (Holding Current, IH) 是維持導通狀态所需的最小電流,若電流低于此值,器件将恢複關斷狀态。

參考資料:

網絡擴展解釋

“四層次二極體”是一種電子元件,其名稱源于其内部半導體結構的四層設計。以下是詳細解釋:

1.基本定義與結構

2.工作原理

3.應用場景

4.注意事項

如果需要更權威的電路特性或參數,可參考電力電子領域教材或半導體器件手冊。

分類

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