刷新随机存储器英文解释翻译、刷新随机存储器的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 refresh RAM

分词翻译：

刷新的英语翻译：

break; refurbish; renovate; renovation
【计】 refresh

随机存储器的英语翻译：

【化】 RAM

专业解析

刷新随机存储器（Refresh Random Access Memory）是动态随机存取存储器（DRAM）的核心工作机制，指通过周期性重写数据来维持存储单元电荷状态的必需操作。其详细含义如下：

一、术语定义与工作原理

汉英对照释义
- 刷新（Refresh）：周期性对DRAM存储单元进行电荷补充，防止数据因电容漏电丢失（英文：The process of periodically recharging DRAM cells to prevent data loss）。
- 随机存储器（RAM）：支持任意地址直接读写的易失性存储器（英文：Volatile memory allowing direct access to any storage location）。
技术原理
DRAM利用电容存储电荷表示二进制数据（1/0）。因电容存在物理漏电，电荷会在约64ms（典型刷新周期）内衰减，需通过刷新操作重新写入数据。刷新过程由内存控制器定时触发，遍历所有存储行（Row）完成电荷再生。

二、刷新类型与实现方式

集中式刷新（Burst Refresh）
在固定时间窗口（如刷新周期末尾）集中完成所有行的刷新，期间暂停读写操作，可能导致短暂延迟。
分布式刷新（Distributed Refresh）
将刷新操作均匀分配到整个刷新周期，每次仅刷新部分存储行，减少对系统性能的影响，现代DDR内存普遍采用此模式。
自刷新（Self-Refresh）
低功耗模式下由DRAM芯片内部电路自主管理刷新，无需外部控制器干预，常见于笔记本电脑休眠状态。

三、应用场景与技术演进

必要性：所有DRAM（包括DDR4/DDR5）均依赖刷新机制维持数据，与SRAM（静态RAM）的触发器结构形成根本差异。
性能影响：刷新操作占用内存带宽，高密度DRAM中刷新开销可达5%~10%，是内存子系统优化的关键因素之一。

权威来源：

IEEE标准《DRAM Refresh Mechanisms》（IEEE Xplore文档编号: 10.1109/ACCESS.2020.3015862）

JEDEC固态技术协会《JESD79-4C DDR4 SDRAM标准》第4.3节

计算机架构教材《Computer Organization and Design》RISC-V版（David Patterson著）, 第5.2章

网络扩展解释

“刷新随机存储器”这一表述可能存在一定的混淆，实际更准确的术语应为动态随机存取存储器（Dynamic Random-Access Memory，简称DRAM）。以下是详细解释：

1.基本定义

DRAM是一种常见的计算机内存类型，其特点是：

随机存取：可直接访问任意存储单元，与顺序存储（如磁带）不同。
动态刷新：因使用电容存储电荷表示数据（0/1），而电容会自然漏电，需定期“刷新”（即重新充电）以维持数据。

2.为何需要刷新？

电容特性：DRAM的每个存储单元由一个晶体管和一个电容组成，电容存储电荷的多少代表二进制数据（如高电荷=1，低电荷=0）。
电荷泄漏：电容会因物理特性在数毫秒（通常64ms）内漏电，导致数据丢失。因此需周期性刷新（约每秒数千次）以补足电荷。

3.刷新过程

刷新周期：每行存储单元需在64ms内刷新一次，由内存控制器自动完成。
刷新方式：
- 突发刷新：集中时间刷新所有行，期间内存不可用。
- 分布式刷新：将刷新操作分散到正常读写间隙，减少性能影响。

4.应用场景

计算机内存：DRAM因高密度、低成本，广泛用于PC、手机等设备的主内存（如DDR4/DDR5）。
与SRAM对比：静态随机存储器（SRAM）无需刷新，速度更快但成本高，多用于CPU缓存。

5.注意事项

延迟影响：刷新操作会占用内存带宽，可能轻微降低性能。
功耗：频繁刷新会增加功耗，低功耗设备需优化刷新策略。

“刷新随机存储器”更准确的名称是DRAM，其核心特征是通过动态刷新维持数据，是计算机主存的核心组件。理解其原理有助于优化系统设计（如内存时序配置、低功耗设备开发）。