刷新隨機存儲器英文解釋翻譯、刷新隨機存儲器的近義詞、反義詞、例句
英語翻譯:
【計】 refresh RAM
分詞翻譯:
刷新的英語翻譯:
break; refurbish; renovate; renovation
【計】 refresh
隨機存儲器的英語翻譯:
【化】 RAM
專業解析
刷新隨機存儲器(Refresh Random Access Memory)是動态隨機存取存儲器(DRAM)的核心工作機制,指通過周期性重寫數據來維持存儲單元電荷狀态的必需操作。其詳細含義如下:
一、術語定義與工作原理
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漢英對照釋義
- 刷新(Refresh):周期性對DRAM存儲單元進行電荷補充,防止數據因電容漏電丢失(英文:The process of periodically recharging DRAM cells to prevent data loss)。
- 隨機存儲器(RAM):支持任意地址直接讀寫的易失性存儲器(英文:Volatile memory allowing direct access to any storage location)。
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技術原理
DRAM利用電容存儲電荷表示二進制數據(1/0)。因電容存在物理漏電,電荷會在約64ms(典型刷新周期)内衰減,需通過刷新操作重新寫入數據。刷新過程由内存控制器定時觸發,遍曆所有存儲行(Row)完成電荷再生。
二、刷新類型與實現方式
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集中式刷新(Burst Refresh)
在固定時間窗口(如刷新周期末尾)集中完成所有行的刷新,期間暫停讀寫操作,可能導緻短暫延遲。
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分布式刷新(Distributed Refresh)
将刷新操作均勻分配到整個刷新周期,每次僅刷新部分存儲行,減少對系統性能的影響,現代DDR内存普遍采用此模式。
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自刷新(Self-Refresh)
低功耗模式下由DRAM芯片内部電路自主管理刷新,無需外部控制器幹預,常見于筆記本電腦休眠狀态。
三、應用場景與技術演進
- 必要性:所有DRAM(包括DDR4/DDR5)均依賴刷新機制維持數據,與SRAM(靜态RAM)的觸發器結構形成根本差異。
- 性能影響:刷新操作占用内存帶寬,高密度DRAM中刷新開銷可達5%~10%,是内存子系統優化的關鍵因素之一。
權威來源:
- IEEE标準《DRAM Refresh Mechanisms》(IEEE Xplore文檔編號: 10.1109/ACCESS.2020.3015862)
- JEDEC固态技術協會《JESD79-4C DDR4 SDRAM标準》第4.3節
- 計算機架構教材《Computer Organization and Design》RISC-V版(David Patterson著), 第5.2章
網絡擴展解釋
“刷新隨機存儲器”這一表述可能存在一定的混淆,實際更準确的術語應為動态隨機存取存儲器(Dynamic Random-Access Memory,簡稱DRAM)。以下是詳細解釋:
1.基本定義
DRAM是一種常見的計算機内存類型,其特點是:
- 隨機存取:可直接訪問任意存儲單元,與順序存儲(如磁帶)不同。
- 動态刷新:因使用電容存儲電荷表示數據(0/1),而電容會自然漏電,需定期“刷新”(即重新充電)以維持數據。
2.為何需要刷新?
- 電容特性:DRAM的每個存儲單元由一個晶體管和一個電容組成,電容存儲電荷的多少代表二進制數據(如高電荷=1,低電荷=0)。
- 電荷洩漏:電容會因物理特性在數毫秒(通常64ms)内漏電,導緻數據丢失。因此需周期性刷新(約每秒數千次)以補足電荷。
3.刷新過程
- 刷新周期:每行存儲單元需在64ms内刷新一次,由内存控制器自動完成。
- 刷新方式:
- 突發刷新:集中時間刷新所有行,期間内存不可用。
- 分布式刷新:将刷新操作分散到正常讀寫間隙,減少性能影響。
4.應用場景
- 計算機内存:DRAM因高密度、低成本,廣泛用于PC、手機等設備的主内存(如DDR4/DDR5)。
- 與SRAM對比:靜态隨機存儲器(SRAM)無需刷新,速度更快但成本高,多用于CPU緩存。
5.注意事項
- 延遲影響:刷新操作會占用内存帶寬,可能輕微降低性能。
- 功耗:頻繁刷新會增加功耗,低功耗設備需優化刷新策略。
“刷新隨機存儲器”更準确的名稱是DRAM,其核心特征是通過動态刷新維持數據,是計算機主存的核心組件。理解其原理有助于優化系統設計(如内存時序配置、低功耗設備開發)。
分類
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