
【電】 photoconductive device
photoconduction
component; element; organ
【計】 E
【化】 element
光電導元件(Photoconductive Device)是指利用光電導效應實現光信號與電信號轉換的半導體器件。其工作原理基于材料在光照條件下電導率升高的特性,入射光子激發材料内部電子躍遷至導帶,形成自由載流子,導緻電阻值隨光強變化呈現非線性響應。
根據材料類型可分為本征型與非本征型兩類:本征型如硫化镉(CdS)光敏電阻,適用于可見光檢測;非本征型如鍺摻雜元件,多用于紅外波段。典型特性參數包括暗電阻(>1MΩ)、亮電阻(<10kΩ)和響應時間(毫秒級)。
該器件在工業自動化、環境監測和安防系統中有廣泛應用,例如複印機的紙張定位傳感器、煙霧探測器中的光束監測單元等。《光電傳感器設計原理》第三章節詳細論述了器件線性度與光譜響應的優化方法,而IEEE Xplore數據庫中可查得最新研究數據證實氮化镓基元件在紫外探測領域的突破性進展(2023年實驗數據顯示量子效率達92%)。
光電導元件(又稱光敏電阻或光電導體)是一種基于光電導效應工作的半導體器件,其核心功能是将光信號轉換為電導率的變化。以下是詳細解釋:
光電導元件利用半導體材料(如矽、鍺、硫化镉、硒化镉等)的光電導特性制成。當光照到材料表面時,光子能量激發電子從價帶躍遷到導帶,産生光生載流子(電子-空穴對),導緻材料電導率顯著增加。
如需進一步了解光電導效應的量子力學解釋或具體器件參數,(高權威性)中的内光電效應分析。
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