【電】 photomagnetoelectric effect
光磁電效應（Photomagnetoelectric Effect）指材料在光照條件下因光子激發産生載流子，同時在外加磁場作用下形成橫向電勢差的現象。該效應是光電效應與霍爾效應的耦合作用結果，常見于半導體和磁性異質結材料中。
其物理機制包含三個關鍵過程：1）入射光子能量超過材料帶隙時激發電子-空穴對；2）外加磁場使帶電粒子發生洛倫茲偏轉；3）分離的載流子在材料邊緣形成可測量的電壓信號。美國物理學會《Physical Review B》的最新研究證實，該效應在拓撲絕緣體中表現出異常增強特性。
工程應用主要集中在：
标準數學表達式為： $$ V_{PME} = frac{I_ph}{n e d} cdot mu B $$ 其中$I_ph$為光電流，$mu$為載流子遷移率，$B$為磁感應強度，$d$為材料厚度。該公式被收錄于《半導體物理手冊》（Springer, 2024版）。
光磁電效應是一種物理現象，指在垂直于光照方向施加外磁場時，半導體材料兩側面間産生電位差的現象。以下是詳細解釋：
光磁電效應（Photo-Magneto-Electric Effects，PME Effects）于1931年被提出，其核心機制涉及光、磁場與電場的相互作用。當光（如紅外輻射）照射半導體表面時，會激發非平衡載流子（電子和空穴），形成濃度梯度。
雖然兩者均涉及磁場與載流子的相互作用，但霍爾效應由外加電場驅動電流産生，而光磁電效應由光生載流子的濃度梯度驅動。
該效應在紅外探測、光電器件設計等領域有潛在應用，例如通過測量開路電壓分析光強或磁場強度。
如需進一步了解公式推導或具體實驗案例，可參考相關物理學文獻或光電技術教材。
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