管電壓降英文解釋翻譯、管電壓降的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 tube voltage drop

分詞翻譯：

管的英語翻譯：

canal; duct; fistula; guarantee; meatus; pipe; tube; wind instrument
【化】 pipe; tube
【醫】 canal; canales; canalis; channel; duct; ductus; salpingo-; salpinx
syringo-; tuba; tube; tubi; tubing; tubo-; tubus; vas; vaso-; vessel

電壓降的英語翻譯：

【計】 voltage drop
【化】 voltage drop

專業解析

管電壓降（Tube Voltage Drop）是指電子管或類似電真空器件在工作狀态下，陰極與陽極之間因電流流動産生的電壓降低現象。該現象由器件内部空間電荷效應、電子發射效率及電極材料特性共同作用形成。

在工程應用中，管電壓降具有三個核心特征：

非線性特性：遵循Child-Langmuir定律，電流密度與電壓呈$frac{3}{2}$次方關系，公式表達為：
$$

J = frac{4varepsilon_0}{9d}sqrt{frac{2e}{m}}V^{3/2}

$$

其中$J$為電流密度，$V$為極間電壓（參考：IEEE Std 158-2002電子管參數标準）
熱效應關聯：陰極溫度直接影響電子發射能力，鎢钍陰極在2000K時發射效率比純鎢陰極提升40%（數據來源：《電子器件物理》第三版，清華大學出版社）
頻率響應限制：在微波電子管中，電壓降會形成相位滞後，直接影響器件最高工作頻率。典型行波管的電壓降需控制在額定值的±5%以内（參考：NASA技術報告NTRS-20050025364）

需要特别說明的是，管電壓降與普通電阻壓降存在本質區别。前者主要源自空間電荷形成的虛拟陰極效應，而後者由載流子與晶格碰撞産生。該差異直接影響器件建模方法，在SPICE仿真中需采用特殊的三分之二定律模型（參考：MIT OpenCourseWare 6.331講義）

網絡擴展解釋

管電壓降（簡稱“管壓降”）是電子元件（如二極管、三極管等）在導通時兩端産生的電壓差，屬于電壓降的一種特殊形式。以下是詳細解釋：

1.定義與物理意義

基本概念：管壓降指電流通過半導體器件時，器件兩端産生的電勢差。例如，二極管正向導通時，陽極與陰極之間的電壓差即為管壓降。
本質：其本質是電流流經器件内部電阻時産生的能量損耗，表現為電壓降低。

2.典型器件中的表現

二極管：
- 正向導通時，矽二極管壓降約0.6–0.7 V，鍺二極管約0.2–0.3 V，而LED可達1.4–4 V。
- 壓降大小與材料特性相關，如肖特基二極管因金屬-半導體結特性壓降更低。
三極管：
- 飽和狀态下，集電極與發射極間壓降約0.2 V。

3.影響因素

材料與結構：矽、鍺等半導體材料的能帶結構直接影響壓降值。
電流大小：壓降隨電流增大略有上升，但變化範圍較小（如矽管在中等電流下較穩定）。

4.應用意義

電路設計：管壓降需納入電路計算，例如電源電壓需高于管壓降才能導通二極管。
功耗與效率：壓降導緻能量以熱形式耗散，高功率器件需考慮散熱。

管電壓降是半導體器件導通時的固有特性，直接影響電路性能和元件選型。理解其數值及影響因素，對優化電路設計（如電源、開關電路）至關重要。