管电压降英文解释翻译、管电压降的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 tube voltage drop

分词翻译：

管的英语翻译：

canal; duct; fistula; guarantee; meatus; pipe; tube; wind instrument
【化】 pipe; tube
【医】 canal; canales; canalis; channel; duct; ductus; salpingo-; salpinx
syringo-; tuba; tube; tubi; tubing; tubo-; tubus; vas; vaso-; vessel

电压降的英语翻译：

【计】 voltage drop
【化】 voltage drop

专业解析

管电压降（Tube Voltage Drop）是指电子管或类似电真空器件在工作状态下，阴极与阳极之间因电流流动产生的电压降低现象。该现象由器件内部空间电荷效应、电子发射效率及电极材料特性共同作用形成。

在工程应用中，管电压降具有三个核心特征：

非线性特性：遵循Child-Langmuir定律，电流密度与电压呈$frac{3}{2}$次方关系，公式表达为：
$$

J = frac{4varepsilon_0}{9d}sqrt{frac{2e}{m}}V^{3/2}

$$

其中$J$为电流密度，$V$为极间电压（参考：IEEE Std 158-2002电子管参数标准）
热效应关联：阴极温度直接影响电子发射能力，钨钍阴极在2000K时发射效率比纯钨阴极提升40%（数据来源：《电子器件物理》第三版，清华大学出版社）
频率响应限制：在微波电子管中，电压降会形成相位滞后，直接影响器件最高工作频率。典型行波管的电压降需控制在额定值的±5%以内（参考：NASA技术报告NTRS-20050025364）

需要特别说明的是，管电压降与普通电阻压降存在本质区别。前者主要源自空间电荷形成的虚拟阴极效应，而后者由载流子与晶格碰撞产生。该差异直接影响器件建模方法，在SPICE仿真中需采用特殊的三分之二定律模型（参考：MIT OpenCourseWare 6.331讲义）

网络扩展解释

管电压降（简称“管压降”）是电子元件（如二极管、三极管等）在导通时两端产生的电压差，属于电压降的一种特殊形式。以下是详细解释：

1.定义与物理意义

基本概念：管压降指电流通过半导体器件时，器件两端产生的电势差。例如，二极管正向导通时，阳极与阴极之间的电压差即为管压降。
本质：其本质是电流流经器件内部电阻时产生的能量损耗，表现为电压降低。

2.典型器件中的表现

二极管：
- 正向导通时，硅二极管压降约0.6–0.7 V，锗二极管约0.2–0.3 V，而LED可达1.4–4 V。
- 压降大小与材料特性相关，如肖特基二极管因金属-半导体结特性压降更低。
三极管：
- 饱和状态下，集电极与发射极间压降约0.2 V。

3.影响因素

材料与结构：硅、锗等半导体材料的能带结构直接影响压降值。
电流大小：压降随电流增大略有上升，但变化范围较小（如硅管在中等电流下较稳定）。

4.应用意义

电路设计：管压降需纳入电路计算，例如电源电压需高于管压降才能导通二极管。
功耗与效率：压降导致能量以热形式耗散，高功率器件需考虑散热。

管电压降是半导体器件导通时的固有特性，直接影响电路性能和元件选型。理解其数值及影响因素，对优化电路设计（如电源、开关电路）至关重要。