
【計】 P-channel
"溝道"作為電子工程學術語,在《牛津電子工程詞典》中定義為場效應晶體管中源極與漏極之間的導電通道,其寬度受栅極電壓調控。該概念最早由貝爾實驗室William Shockley在1952年提出,現已成為半導體器件的核心工作機制。
在器件物理層面,溝道形成過程遵循MOS結構表面反型原理。當栅極施加足夠電壓時,半導體表面會形成反型層,計算公式可表示為: $$ Phi_s = 2phiF + V{GB} $$ 其中$phiF$為費米勢,$V{GB}$為栅-體電壓。這種載流子輸運機制被收錄于《半導體器件物理與工藝》(施敏著)第三章。
地理學中,《現代漢語詞典》将"溝道"解釋為自然或人工開鑿的排水通道,特指黃土高原地區因水流侵蝕形成的V型沖溝。中國地質調查局《黃土地質災害圖集》記載,此類地貌在陝西、山西境内發育面積達12.6萬平方公裡。
“溝道”一詞主要有以下兩種解釋:
低凹的溝狀紋路或通道
指自然形成或人工挖掘的凹陷結構,常見于地理環境或物體表面。例如:
碑刻中的陰文線槽
特指石碑上雕刻的凹陷線條或文字槽道,多見于傳統碑文工藝。清代阮葵生《茶馀客話》提到“北碑刻深,謂之溝道”,說明南北碑刻風格的差異。
補充說明
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