
【计】 P-channel
"沟道"作为电子工程学术语,在《牛津电子工程词典》中定义为场效应晶体管中源极与漏极之间的导电通道,其宽度受栅极电压调控。该概念最早由贝尔实验室William Shockley在1952年提出,现已成为半导体器件的核心工作机制。
在器件物理层面,沟道形成过程遵循MOS结构表面反型原理。当栅极施加足够电压时,半导体表面会形成反型层,计算公式可表示为: $$ Phi_s = 2phiF + V{GB} $$ 其中$phiF$为费米势,$V{GB}$为栅-体电压。这种载流子输运机制被收录于《半导体器件物理与工艺》(施敏著)第三章。
地理学中,《现代汉语词典》将"沟道"解释为自然或人工开凿的排水通道,特指黄土高原地区因水流侵蚀形成的V型冲沟。中国地质调查局《黄土地质灾害图集》记载,此类地貌在陕西、山西境内发育面积达12.6万平方公里。
“沟道”一词主要有以下两种解释:
低凹的沟状纹路或通道
指自然形成或人工挖掘的凹陷结构,常见于地理环境或物体表面。例如:
碑刻中的阴文线槽
特指石碑上雕刻的凹陷线条或文字槽道,多见于传统碑文工艺。清代阮葵生《茶馀客话》提到“北碑刻深,谓之沟道”,说明南北碑刻风格的差异。
补充说明
摆式圆锯白珠油船双出售契据定压比热短小腿的顿挫性妄想狂反冲电子妨碍诉讼程序分次灭菌疗法工业生产汗过多互相残杀的简化眼交割通知单节后的邻环庚二酮二肟脑腺核能竖立的脓性胰炎疲劳裂痕平台秤仆役企业合理化全分析区法庭神经肌性动脉球同胚地同业公会会费图厄系统维克达济尔氏纹