高頻電容英文解釋翻譯、高頻電容的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 high frequency condenser

high frequency
【電】 hf; high frequency

capacitance; electric capacity
【計】 C
【化】 capacitance; capacity; electric capacity
【醫】 capacitance; electric capacity

在電子工程領域，"高頻電容"（High-Frequency Capacitor）指專門設計用于高頻電路（通常指MHz至GHz頻段）工作的電容器。其核心特征在于具備低等效串聯電阻（ESR）、低等效串聯電感（ESL）和高自諧振頻率（SRF），以最小化高頻信號傳輸中的能量損耗和相位失真。

關鍵特性與設計要求：

低寄生參數：通過多層疊片、三明治結構或特殊端接設計（如低感抗貼裝）降低ESL，避免高頻下因感抗（$X_L = 2pi f L$）上升導緻阻抗增加。薄膜電容（如聚丙烯）和陶瓷電容（NP0/C0G介質）因介質損耗角正切值（tanδ）低而成為主流選擇。
自諧振頻率（SRF）：工作頻率需遠低于SRF（$f_{SRF} = frac{1}{2pisqrt{LC}}$），否則電容呈感性。例如0402封裝的1nF陶瓷電容SRF可達1GHz以上，而電解電容僅適用于kHz頻段。
溫度穩定性：高頻電路對溫度敏感，NP0/C0G類陶瓷電容容溫系數僅±30ppm/°C，優于X7R（±15%）等材質。

典型應用場景：

射頻匹配網絡：在天線阻抗匹配中實現共轭匹配（$Z{in} = Z^*{out}$），提升功率傳輸效率。
去耦與濾波：為數字IC（如CPU/FPGA）供電引腳提供低阻抗通路，抑制電源噪聲（PDN阻抗目标通常<1Ω）。例如在毫米波雷達模塊中，采用多顆0.1μF陶瓷電容并聯以降低ESL。
諧振電路：構成LC振蕩器（$f = frac{1}{2pisqrt{LC}}$）或帶通濾波器，用于通信系統載波生成與信道選擇。

權威參考來源：

IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 對高頻電容的寄生參數建模有詳細分析（來源：IEEE Xplore）
清華大學電子工程系《射頻電路設計》教材（來源：清華大學出版社）
Keysight Technologies《高頻元件測試白皮書》（來源：Keysight官網）

高頻電容是專為高頻電路設計的電容器，其核心特性在于適應高頻環境下的性能需求。以下為詳細解析：

高頻電容指工作頻率範圍較高（通常MHz至GHz級别）的電容器，主要用于高頻信號的耦合、濾波、諧振等場景。其阻抗特性遵循公式： $$ X_c = frac{1}{2pi f C} $$ 當頻率$f$升高時，容抗$X_c$降低，但實際應用中還需考慮等效串聯電阻（ESR）和等效串聯電感（ESL）的影響。

建議需要具體參數選型時可參考中與非網的詳細規格表，或查閱列出的ESR-頻率曲線圖進行工程設計。