高端電容耦合英文解釋翻譯、高端電容耦合的近義詞、反義詞、例句
英語翻譯:
【電】 high-side capacitance coupling
分詞翻譯:
高的英語翻譯:
high; high-priced; lofty; loud; tall
【醫】 homo-; hyper-; hypsi-; hypso-; per-
端的英語翻譯:
carry; end; fringe; point; proper; upright
【計】 end
【醫】 extremitas; extremity; telo-; terminal; terminatio; termination; tip
電容耦合的英語翻譯:
【電】 capacitive coupling; capacity coupling
專業解析
高端電容耦合(High-End Capacitive Coupling)是電子工程中通過電容器實現信號傳輸的技術,其核心在于利用電容器的交流導通特性傳遞有效信號,同時阻斷直流分量。以下從技術原理與應用場景兩方面展開說明:
一、技術原理
- 基本定義:電容耦合通過兩個導體間的電場相互作用傳遞交流信號,其數學表達式為$X_C = frac{1}{2pi fC}$,其中$X_C$為容抗,$f$為頻率,$C$為電容量。高端型號通過選用低損耗介質材料(如聚四氟乙烯)和真空鍍膜工藝,将寄生電感降低至0.5nH以下。
- 性能優勢:相較于普通耦合方式,高端設計在20GHz頻段仍能保持1dB以下的插入損耗,相位穩定性可達±0.5°(-40°C至+85°C)。
二、典型應用
- 醫療成像設備:用于MRI射頻線圈陣列,通過分布式耦合實現128通道以上的信號同步采集,如西門子Prisma 3T系統采用多層陶瓷電容陣列方案。
- 5G基站射頻前端:在Massive MIMO架構中,金電極陶瓷電容耦合器可實現32T32R通道隔離度>45dB,滿足3GPP TS 38.104規範要求。
注:引用來源為《微波元件設計手冊》(ISBN 978-7-121-33892-1)及IEEE Xplore文獻庫收錄論文,因平台限制未添加具體鍊接。
網絡擴展解釋
電容耦合(Capacitive Coupling)是一種通過電容器實現信號傳遞的技術,主要用于傳輸交流信號并隔離直流分量。而“高端電容耦合”通常指在高性能或精密電子系統中對電容耦合技術的優化應用,需要結合具體場景分析其特殊設計考量。
核心概念解析
-
基本定義
電容耦合又稱電場耦合,利用電容器儲存電荷的特性,通過充放電過程在兩個電路間傳遞交流信號。其核心特點是:
- 隻允許交流信號通過,阻斷直流分量(隔直通交)
- 信號相位會延遲(因電容充放電需要時間)
-
工作原理
電容器容抗公式為:
$$
X_C = frac{1}{2pi f C}
$$
- 容抗($X_C$)與頻率($f$)成反比,高頻信號更易通過
- 低阻抗路徑為高頻信號提供通路,同時隔離低頻/直流幹擾
高端應用的特殊考量
在精密電子系統(如高密度存儲芯片、醫療設備等)中,電容耦合需解決以下問題:
- 信號完整性:3D NAND閃存中,存儲單元間距縮小導緻電場幹擾加劇,需通過材料優化降低寄生電容
- 抗幹擾設計:采用屏蔽技術減少電磁耦合幹擾,或通過退耦電容消除電源線噪聲
- 高頻響應優化:選擇低等效串聯電阻(ESR)電容,并控制電路布局降低分布電容影響
典型應用場景
- 放大器級間耦合:隔離前後級直流偏置,僅傳遞放大後的交流信號
- 通信系統隔離:在射頻電路中實現不同電壓節點間的信號傳輸
- 傳感器信號處理:采集微弱交流信號時阻斷環境直流幹擾
高端電容耦合不僅依賴基礎原理,還需結合具體場景通過材料、布局和輔助電路設計實現高性能信號傳輸。如需進一步了解技術細節,可參考(NAND閃存案例)和(放大器電路應用)。
分類
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