高端电容耦合英文解释翻译、高端电容耦合的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 high-side capacitance coupling

high; high-priced; lofty; loud; tall
【医】 homo-; hyper-; hypsi-; hypso-; per-

carry; end; fringe; point; proper; upright
【计】 end
【医】 extremitas; extremity; telo-; terminal; terminatio; termination; tip

【电】 capacitive coupling; capacity coupling

高端电容耦合（High-End Capacitive Coupling）是电子工程中通过电容器实现信号传输的技术，其核心在于利用电容器的交流导通特性传递有效信号，同时阻断直流分量。以下从技术原理与应用场景两方面展开说明：

一、技术原理

基本定义：电容耦合通过两个导体间的电场相互作用传递交流信号，其数学表达式为$X_C = frac{1}{2pi fC}$，其中$X_C$为容抗，$f$为频率，$C$为电容量。高端型号通过选用低损耗介质材料（如聚四氟乙烯）和真空镀膜工艺，将寄生电感降低至0.5nH以下。
性能优势：相较于普通耦合方式，高端设计在20GHz频段仍能保持1dB以下的插入损耗，相位稳定性可达±0.5°（-40°C至+85°C）。

二、典型应用

注：引用来源为《微波元件设计手册》（ISBN 978-7-121-33892-1）及IEEE Xplore文献库收录论文，因平台限制未添加具体链接。

电容耦合（Capacitive Coupling）是一种通过电容器实现信号传递的技术，主要用于传输交流信号并隔离直流分量。而“高端电容耦合”通常指在高性能或精密电子系统中对电容耦合技术的优化应用，需要结合具体场景分析其特殊设计考量。

基本定义
电容耦合又称电场耦合，利用电容器储存电荷的特性，通过充放电过程在两个电路间传递交流信号。其核心特点是：
- 只允许交流信号通过，阻断直流分量（隔直通交）
- 信号相位会延迟（因电容充放电需要时间）
工作原理
电容器容抗公式为： $$ X_C = frac{1}{2pi f C} $$

在精密电子系统（如高密度存储芯片、医疗设备等）中，电容耦合需解决以下问题：

高端电容耦合不仅依赖基础原理，还需结合具体场景通过材料、布局和辅助电路设计实现高性能信号传输。如需进一步了解技术细节，可参考（NAND闪存案例）和（放大器电路应用）。