負阻區英文解釋翻譯、負阻區的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 negative resistance region

分詞翻譯：

負的英語翻譯：

bear; tote; shoulder; suffer; minus; negative; owe; rely on; lose
【醫】 Lift

阻的英語翻譯：

block; hinder; obstruct
【醫】 lock

區的英語翻譯：

area; borough; classify; distinguish; district; region; section
【計】 region
【醫】 area; belt; field; quarter; regio; region; zona; zone

專業解析

負阻區 (Negative Resistance Region) 的漢英詞典角度解釋

在電子工程領域，“負阻區”是一個描述特定電子器件電流-電壓（I-V）特性曲線中特殊區段的核心概念。其核心含義如下：

定義與核心特性 (Definition & Core Characteristic)
- 漢義： “負阻區”指的是器件伏安特性曲線中，電流隨電壓增加而減小（或電壓隨電流增加而減小）的特定工作區域。在這個區域内，器件的動态電阻（或稱微分電阻）為負值。
- 英譯： Negative Resistance Region / Negative Differential Resistance (NDR) Region。這描述 a specific operating region on the current-voltage (I-V) characteristic curve of an electronic device where the currentdecreases as the voltageincreases (or conversely, voltage decreases as current increases). Within this region, the dynamic (differential) resistance of the device isnegative.
物理機制與典型器件 (Physical Mechanism & Typical Devices)
- 負阻現象并非違反歐姆定律（其描述的是靜态電阻），而是特定物理機制在特定工作條件下（如高電場、量子隧穿、載流子注入效應等）導緻的動态特性。常見呈現負阻區的器件包括：
  - 隧道二極管 (Tunnel Diode)：利用量子隧穿效應，在正向偏置下特定電壓區間内呈現顯著的負阻區。來源建議：IEEE Xplore (隧道二極管原理相關論文) / 《半導體器件物理》(施敏, 伍國珏著)。
  - 單結晶體管 (Unijunction Transistor - UJT)：其發射極特性曲線在特定區間呈現負阻。來源建議：電子科技大學《模拟電子技術基礎》教材 / ON Semiconductor UJT 器件手冊。
  - 耿氏二極管 (Gunn Diode)：利用轉移電子效應（主要在化合物半導體如GaAs中），在特定電場下産生負微分遷移率，形成負阻振蕩。來源建議：IET Digital Library (耿氏效應相關研究) / 《微波固态電路設計》(R. S. Carson著)。
  - 某些氣體放電管/閘流管 (Thyratrons, etc.)：在擊穿後的維持階段可能呈現負阻特性。來源建議：《氣體放電與等離子體工程》(A. Fridman, L. A. Kennedy著)。
關鍵特征與應用 (Key Features & Applications)
- 負微分電阻 (Negative Differential Resistance - NDR)：這是負阻區的核心數學定義：$R_d = frac{dV}{dI} < 0$。意味着電壓的微小增加會導緻電流的減小（或反之）。
- 放大與振蕩能力 (Amplification & Oscillation Capability)：負阻區使得器件能夠提供能量而非消耗能量（在特定條件下），這是其能用于構建放大器（如隧道二極管放大器）和振蕩器（如利用負阻器件構建的弛豫振蕩器、微波振蕩器）的基礎原理。來源建議：麻省理工學院開放課程 (MIT OpenCourseWare) - 電路與電子學相關講義 / 《射頻與微波電子學》(Matthew M. Radmanesh著)。
- 雙穩态與開關特性 (Bistability & Switching)：包含負阻區的器件常具有“S型”或“N型”的非單調I-V曲線，這使得它們可用于構建雙穩态電路（如觸發器）、開關電路和存儲器單元。來源建議：SpringerLink (非線性電路與系統相關書籍章節)。
重要性 (Significance) 理解“負阻區”對于分析和設計利用上述特殊器件的電路至關重要，尤其是在高頻振蕩器、脈沖發生器、高速開關電路和某些類型的放大器中。它是超越普通電阻、電容、電感、晶體管（雙極型、場效應型）等線性或飽和型器件特性的獨特非線性現象。來源建議：中國知網 (CNKI) - 電子學報、半導體學報相關綜述文章 / 美國專利商标局 (USPTO) - 涉及負阻器件的專利文獻。

網絡擴展解釋

“負阻區”是電子學或物理學中的術語，指某些器件或材料的伏安特性曲線中呈現動态電阻為負值的區域。具體表現為：當電流增大時，電壓反而減小（或電壓增大時電流減小），即電流與電壓的變化方向相反，導緻該區域的斜率（ΔV/ΔI）為負值。

核心特性與示例

動态電阻特性
在負阻區，器件的動态電阻（即微分電阻）為負值，數學表達式為：
$$ r = frac{dV}{dI} < 0 $$
這意味着器件在該區域内具有“自增強”特性，可能引發不穩定狀态或特殊應用，如振蕩電路。
典型器件示例
- 隧道二極管：在特定電壓範圍内，電流隨電壓增加而減小，形成負阻區，常用于高頻振蕩器。
- 電弧放電：電弧被拉長時，維持電弧所需的電壓可能降低，導緻伏安特性曲線進入負阻區。
應用場景
負阻特性可用于補償電路中的正電阻損耗，或設計振蕩器、脈沖生成電路等需要非線性特性的場景。

注意區分

“負阻”在漢語中另有“依恃險阻”的普通詞義（如《三國志》中的用法），但技術領域的“負阻區”特指上述電學特性。需根據上下文明确具體含義。