负阻区英文解释翻译、负阻区的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 negative resistance region

分词翻译：

负的英语翻译：

bear; tote; shoulder; suffer; minus; negative; owe; rely on; lose
【医】 Lift

阻的英语翻译：

block; hinder; obstruct
【医】 lock

区的英语翻译：

area; borough; classify; distinguish; district; region; section
【计】 region
【医】 area; belt; field; quarter; regio; region; zona; zone

专业解析

负阻区 (Negative Resistance Region) 的汉英词典角度解释

在电子工程领域，“负阻区”是一个描述特定电子器件电流-电压（I-V）特性曲线中特殊区段的核心概念。其核心含义如下：

定义与核心特性 (Definition & Core Characteristic)
- 汉义： “负阻区”指的是器件伏安特性曲线中，电流随电压增加而减小（或电压随电流增加而减小）的特定工作区域。在这个区域内，器件的动态电阻（或称微分电阻）为负值。
- 英译： Negative Resistance Region / Negative Differential Resistance (NDR) Region。这描述 a specific operating region on the current-voltage (I-V) characteristic curve of an electronic device where the currentdecreases as the voltageincreases (or conversely, voltage decreases as current increases). Within this region, the dynamic (differential) resistance of the device isnegative.
物理机制与典型器件 (Physical Mechanism & Typical Devices)
- 负阻现象并非违反欧姆定律（其描述的是静态电阻），而是特定物理机制在特定工作条件下（如高电场、量子隧穿、载流子注入效应等）导致的动态特性。常见呈现负阻区的器件包括：
  - 隧道二极管 (Tunnel Diode)：利用量子隧穿效应，在正向偏置下特定电压区间内呈现显著的负阻区。来源建议：IEEE Xplore (隧道二极管原理相关论文) / 《半导体器件物理》(施敏, 伍国珏著)。
  - 单结晶体管 (Unijunction Transistor - UJT)：其发射极特性曲线在特定区间呈现负阻。来源建议：电子科技大学《模拟电子技术基础》教材 / ON Semiconductor UJT 器件手册。
  - 耿氏二极管 (Gunn Diode)：利用转移电子效应（主要在化合物半导体如GaAs中），在特定电场下产生负微分迁移率，形成负阻振荡。来源建议：IET Digital Library (耿氏效应相关研究) / 《微波固态电路设计》(R. S. Carson著)。
  - 某些气体放电管/闸流管 (Thyratrons, etc.)：在击穿后的维持阶段可能呈现负阻特性。来源建议：《气体放电与等离子体工程》(A. Fridman, L. A. Kennedy著)。
关键特征与应用 (Key Features & Applications)
- 负微分电阻 (Negative Differential Resistance - NDR)：这是负阻区的核心数学定义：$R_d = frac{dV}{dI} < 0$。意味着电压的微小增加会导致电流的减小（或反之）。
- 放大与振荡能力 (Amplification & Oscillation Capability)：负阻区使得器件能够提供能量而非消耗能量（在特定条件下），这是其能用于构建放大器（如隧道二极管放大器）和振荡器（如利用负阻器件构建的弛豫振荡器、微波振荡器）的基础原理。来源建议：麻省理工学院开放课程 (MIT OpenCourseWare) - 电路与电子学相关讲义 / 《射频与微波电子学》(Matthew M. Radmanesh著)。
- 双稳态与开关特性 (Bistability & Switching)：包含负阻区的器件常具有“S型”或“N型”的非单调I-V曲线，这使得它们可用于构建双稳态电路（如触发器）、开关电路和存储器单元。来源建议：SpringerLink (非线性电路与系统相关书籍章节)。
重要性 (Significance) 理解“负阻区”对于分析和设计利用上述特殊器件的电路至关重要，尤其是在高频振荡器、脉冲发生器、高速开关电路和某些类型的放大器中。它是超越普通电阻、电容、电感、晶体管（双极型、场效应型）等线性或饱和型器件特性的独特非线性现象。来源建议：中国知网 (CNKI) - 电子学报、半导体学报相关综述文章 / 美国专利商标局 (USPTO) - 涉及负阻器件的专利文献。

网络扩展解释

“负阻区”是电子学或物理学中的术语，指某些器件或材料的伏安特性曲线中呈现动态电阻为负值的区域。具体表现为：当电流增大时，电压反而减小（或电压增大时电流减小），即电流与电压的变化方向相反，导致该区域的斜率（ΔV/ΔI）为负值。

核心特性与示例

动态电阻特性
在负阻区，器件的动态电阻（即微分电阻）为负值，数学表达式为：
$$ r = frac{dV}{dI} < 0 $$
这意味着器件在该区域内具有“自增强”特性，可能引发不稳定状态或特殊应用，如振荡电路。
典型器件示例
- 隧道二极管：在特定电压范围内，电流随电压增加而减小，形成负阻区，常用于高频振荡器。
- 电弧放电：电弧被拉长时，维持电弧所需的电压可能降低，导致伏安特性曲线进入负阻区。
应用场景
负阻特性可用于补偿电路中的正电阻损耗，或设计振荡器、脉冲生成电路等需要非线性特性的场景。

注意区分

“负阻”在汉语中另有“依恃险阻”的普通词义（如《三国志》中的用法），但技术领域的“负阻区”特指上述电学特性。需根据上下文明确具体含义。