俄歇電子能譜英文解釋翻譯、俄歇電子能譜的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【化】 AES

分詞翻譯：

俄的英語翻譯：

presently; very soon

歇的英語翻譯：

go to bed; have a rest; knock off

電子能譜的英語翻譯：

【化】 electron spectroscopy; electron spectrum; ES

專業解析

俄歇電子能譜（Auger Electron Spectroscopy, AES）是一種重要的表面分析技術，用于表征材料最表層（約1-10納米深度）的元素組成和化學狀态。以下從漢英詞典角度對其詳細解釋：

一、術語構成與核心定義

俄歇電子 (Auger Electron)：指原子受激發（如電子束或X射線轟擊）後，内殼層電子被電離形成空穴，外層電子填充該空穴時釋放的能量不以X射線形式輻射，而是傳遞給另一個外層電子使其發射出來，該電子即稱為“俄歇電子”。其能量具有元素特異性。
能譜 (Spectroscopy)：指測量并分析這些俄歇電子按能量分布情況的圖譜。通過檢測俄歇電子的動能，可以識别樣品表面存在的元素。
整體定義：俄歇電子能譜（AES）即利用測量和分析俄歇電子的能量分布與強度，對固體材料表面進行元素定性和定量分析，以及部分化學态分析的技術。

二、物理原理基礎俄歇過程涉及三個電子：

電離：入射電子束（或X射線）使原子内殼層（如K層）電子電離，形成初始空穴。
躍遷：較外層電子（如L₁層）躍遷至該内殼層空穴，釋放出能量。
俄歇發射：釋放的能量并非以光子形式輻射，而是傳遞給另一個外層電子（如L₂,₃層），使其克服結合能發射出去，成為俄歇電子。該過程稱為俄歇效應（Auger Effect）。俄歇電子的特征能量僅取決于所涉及三個能級的結合能，因此是元素的“指紋”, 。

三、技術特點與應用

表面敏感：俄歇電子在固體中平均自由程極短（約0.5-3 nm），僅最表層産生的俄歇電子能逃逸并被檢測，故對表面極其敏感。
元素分析：可檢測除H、He外的所有元素（因其無内層能級參與俄歇過程），檢測限一般為0.1-1 at.%。
微區分析：結合聚焦電子束（掃描俄歇微探針，SAM），可進行高空間分辨率（可達納米級）的表面成分成像和點分析。
深度剖析：配合離子濺射剝離表面層，可獲取元素成分隨深度的分布信息。
化學态信息：俄歇峰的能量位移和峰形變化可提供元素化學态信息（如氧化态）。
主要應用領域：材料科學（薄膜、界面、腐蝕、催化）、微電子（器件失效分析、污染檢測）、冶金、摩擦學等, 。

四、核心價值俄歇電子能譜的核心價值在于其極高的表面靈敏度和元素識别能力，使其成為揭示材料表面與界面微觀成分不可或缺的分析工具, , 。

參考來源：

美國國家标準與技術研究院 (NIST) - 材料測量科學部：表面分析技術概述（含AES原理） https://www.nist.gov/mml/materials-measurement-science-division/surface-and-microanalysis-science-division
英國國家物理實驗室 (NPL) - 表面技術與分析： AES技術指南與應用案例 https://www.npl.co.uk/measurement-services/materials/surface-technology-and-analysis
中國科學院物理研究所 - 表面物理國家重點實驗室：表面分析技術講義（含AES） http://surface.iphy.ac.cn/education/lectures/

網絡擴展解釋

俄歇電子能譜（Auger Electron Spectroscopy，AES）是一種表面分析技術，主要用于材料表面化學成分及結構的表征。以下是其核心内容的詳細解釋：

1.基本原理

俄歇電子的産生涉及三個原子軌道電子的躍遷過程：

激發與電離：高能電子束或X射線轟擊樣品，使原子内層電子被激發并形成空穴（如K層空穴）。
退激發過程：外層電子（如L層）躍遷填補内層空穴，釋放能量。若該能量被同一原子外層另一電子（如L₂層）吸收，後者将脫離原子成為俄歇電子。
能量特征：俄歇電子的能量由躍遷能級決定，例如KL₁L₂躍遷的能量公式為： $$ E_{KL₁L₂} = EK - E{L₁} - E_{L₂} $$ 其中$EK$、$E{L₁}$、$E_{L₂}$分别為對應能級的結合能。

2.技術特點

表面靈敏度高：俄歇電子能量低（通常<50eV），逸出深度僅0.4-2nm，可分析表面1-3個原子層成分。
元素識别與定量：通過俄歇峰位确定元素種類，峰高或峰面積用于定量分析。
化學态分析：峰位偏移可反映元素的化學環境變化（如氧化态）。

3.曆史與發展

1925年由法國物理學家Pierre Auger在雲室實驗中首次發現俄歇效應。
1953年後逐步應用于表面分析，1967年隨電子能譜儀技術進步成為主流方法。

4.應用領域

材料科學：分析金屬、半導體等材料的表面污染、氧化層及界面擴散。
薄膜技術：檢測薄膜成分均勻性及厚度（縱向分辨率達1nm）。
失效分析：用于電子器件表面缺陷或腐蝕産物的成分鑒定。

5.局限性

對輕元素（如H、He）分析困難，因俄歇産率低。
需高真空環境，樣品需導電或鍍層處理。

如需更完整的儀器參數或案例，可參考、等來源。