反偏結英文解釋翻譯、反偏結的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 reversed-biased junction

in reverse; on the contrary; turn over
【醫】 contra-; re-; trans-

deflection; leaning; partial; prejudiced; slanting
【化】 meta-
【醫】 meta-

congeal; form; knot; settle; vinculum; weave
【醫】 knob; knot; node; nodule; noduli; nodulus; nodus; noeud

在電子工程領域，“反偏結”特指半導體PN結處于反向偏置狀态（Reverse-Biased Junction）。以下是其詳細解釋：

中文術語：反偏結（反向偏置結）
英文術語：Reverse-Biased Junction
物理本質：當PN結的P區接電源負極、N區接電源正極時，外加電場方向與内建電場方向一緻，導緻耗盡層（Depletion Region）寬度增大，阻礙多數載流子擴散，形成高電阻狀态。此時僅存在極小的反向飽和電流（Reverse Saturation Current, (I_S)）。

載流子行為：
- 多數載流子（P區空穴、N區電子）被外加電壓拉離結區，耗盡層展寬。
- 少數載流子（P區電子、N區空穴）在電場作用下産生漂移電流，形成微弱的反向電流 (I_S approx 10^{-9} text{A} sim 10^{-15} text{A})。
勢壘變化：
反向電壓 (VR) 使内建電勢差 (V{bi}) 增大至 (V_{bi} + V_R)，勢壘高度升高，阻礙電流通過。

擊穿現象：
當反向電壓超過擊穿電壓 (V_{BR}) 時，發生雪崩擊穿（Avalanche Breakdown）或齊納擊穿（Zener Breakdown），電流急劇增大。

“反偏結”是電子工程和半導體物理中的專業術語，對應的英文為reverse biased junction，指半導體器件（如二極管）中PN結處于反向偏置的狀态。以下是詳細解釋：

基本定義
當PN結的P區連接電源負極，N區連接正極時，形成反向偏置（reverse bias）。此時，外電場方向與PN結内建電場方向一緻，導緻耗盡層（耗盡區）寬度增加，阻礙多數載流子的擴散，僅允許極小的反向電流（由少數載流子的漂移運動産生）通過。
核心特性
- 高電阻狀态：反向偏壓下，PN結電阻極大，近似絕緣體。
- 反向飽和電流：僅存在微弱的反向電流（納安級），主要由溫度決定，與電壓無關。
- 擊穿現象：當反向電壓超過擊穿電壓時，可能發生雪崩擊穿或齊納擊穿，導緻電流急劇增大。
應用場景
- 整流二極管：利用反向偏置阻斷反向電流，實現交流轉直流的整流功能。
- 穩壓二極管：依賴反向擊穿特性穩定電壓。
- 光電探測器：反向偏置可提高響應速度和靈敏度（）。
對比正向偏置
- 正向偏置（forward bias）：P區接正極，N區接負極，耗盡層變窄，電流隨電壓指數增長。
- 反向偏置：電流極小且趨于飽和，用于控制電路通斷或保護器件。

總結來說，“反偏結”描述了半導體器件在反向電壓下的工作狀态，是理解二極管、晶體管等電子元件功能的基礎概念。