反偏结英文解释翻译、反偏结的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 reversed-biased junction

in reverse; on the contrary; turn over
【医】 contra-; re-; trans-

deflection; leaning; partial; prejudiced; slanting
【化】 meta-
【医】 meta-

congeal; form; knot; settle; vinculum; weave
【医】 knob; knot; node; nodule; noduli; nodulus; nodus; noeud

在电子工程领域，“反偏结”特指半导体PN结处于反向偏置状态（Reverse-Biased Junction）。以下是其详细解释：

中文术语：反偏结（反向偏置结）
英文术语：Reverse-Biased Junction
物理本质：当PN结的P区接电源负极、N区接电源正极时，外加电场方向与内建电场方向一致，导致耗尽层（Depletion Region）宽度增大，阻碍多数载流子扩散，形成高电阻状态。此时仅存在极小的反向饱和电流（Reverse Saturation Current, (I_S)）。

载流子行为：
- 多数载流子（P区空穴、N区电子）被外加电压拉离结区，耗尽层展宽。
- 少数载流子（P区电子、N区空穴）在电场作用下产生漂移电流，形成微弱的反向电流 (I_S approx 10^{-9} text{A} sim 10^{-15} text{A})。
势垒变化：
反向电压 (VR) 使内建电势差 (V{bi}) 增大至 (V_{bi} + V_R)，势垒高度升高，阻碍电流通过。

击穿现象：
当反向电压超过击穿电压 (V_{BR}) 时，发生雪崩击穿（Avalanche Breakdown）或齐纳击穿（Zener Breakdown），电流急剧增大。

“反偏结”是电子工程和半导体物理中的专业术语，对应的英文为reverse biased junction，指半导体器件（如二极管）中PN结处于反向偏置的状态。以下是详细解释：

基本定义
当PN结的P区连接电源负极，N区连接正极时，形成反向偏置（reverse bias）。此时，外电场方向与PN结内建电场方向一致，导致耗尽层（耗尽区）宽度增加，阻碍多数载流子的扩散，仅允许极小的反向电流（由少数载流子的漂移运动产生）通过。
核心特性
- 高电阻状态：反向偏压下，PN结电阻极大，近似绝缘体。
- 反向饱和电流：仅存在微弱的反向电流（纳安级），主要由温度决定，与电压无关。
- 击穿现象：当反向电压超过击穿电压时，可能发生雪崩击穿或齐纳击穿，导致电流急剧增大。
应用场景
- 整流二极管：利用反向偏置阻断反向电流，实现交流转直流的整流功能。
- 稳压二极管：依赖反向击穿特性稳定电压。
- 光电探测器：反向偏置可提高响应速度和灵敏度（）。
对比正向偏置
- 正向偏置（forward bias）：P区接正极，N区接负极，耗尽层变窄，电流随电压指数增长。
- 反向偏置：电流极小且趋于饱和，用于控制电路通断或保护器件。

总结来说，“反偏结”描述了半导体器件在反向电压下的工作状态，是理解二极管、晶体管等电子元件功能的基础概念。