電荷耦合内存英文解釋翻譯、電荷耦合内存的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 charge-coupled memory

charge; electric charge; electricity
【化】 electric charge
【醫】 charge

coupling
【計】 coupling

【計】 core storage; core store; EMS memory; internal storage; memory

電荷耦合内存（Charge-Coupled Memory，簡稱CCM）是一種基于電荷耦合器件（CCD）原理的半導體存儲技術。其核心是通過控制半導體表面電勢阱的深度，實現電荷包（代表數據位）的定向轉移與存儲。以下是詳細解釋：

電荷轉移機制
在CCM中，數據以電荷包形式存儲在MOS電容陣列中。通過施加時序電壓脈沖，電荷包沿預定路徑（如移位寄存器）逐級耦合傳遞，實現數據的串行讀寫。該過程依賴精确的時鐘信號控制電勢阱的開啟與閉合。
存儲單元結構
由一系列緊密排列的金屬-氧化物-半導體（MOS）電容構成。每個電容代表一個存儲位，電荷量決定邏輯狀态（如高電荷為"1"，低電荷為"0"）。

Boyle, W. S., & Smith, G. E. (1970). Charge Coupled Semiconductor Devices. Bell System Technical Journal.
Sequin, C. H., & Tompsett, M. F. (1975). Charge Transfer Devices. Academic Press.
IEEE Electron Device Society. (1988). CCD Technology in Memory Applications. IEEE Transactions on Electron Devices.

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“電荷耦合内存”是一個電子工程領域的專業術語，其英文對應為charge-coupled memory（簡稱CCM）。以下是該詞的分項解析：

電荷（Charge）
指帶電粒子（如電子或離子）在電場中積累的物理屬性，是存儲和傳輸數據的基礎載體。在半導體器件中，電荷的分布與移動直接影響存儲功能。
耦合（Coupled）
表示通過電場或物理結構使電荷在不同單元之間傳遞。例如，電荷耦合器件（CCD）通過控制電壓逐級轉移電荷，類似技術可能應用于此類内存的數據讀寫過程。
内存（Memory）
指計算機中用于臨時或長期存儲數據的硬件部件。電荷耦合内存可能通過電荷的存儲狀态（如“有電荷”或“無電荷”）表示二進制數據（0和1）。

特點與應用：

由于當前搜索結果信息有限，建議通過專業電子工程資料或行業标準文檔進一步了解其技術實現和實際應用。