电荷耦合内存英文解释翻译、电荷耦合内存的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 charge-coupled memory

charge; electric charge; electricity
【化】 electric charge
【医】 charge

coupling
【计】 coupling

【计】 core storage; core store; EMS memory; internal storage; memory

电荷耦合内存（Charge-Coupled Memory，简称CCM）是一种基于电荷耦合器件（CCD）原理的半导体存储技术。其核心是通过控制半导体表面电势阱的深度，实现电荷包（代表数据位）的定向转移与存储。以下是详细解释：

电荷转移机制
在CCM中，数据以电荷包形式存储在MOS电容阵列中。通过施加时序电压脉冲，电荷包沿预定路径（如移位寄存器）逐级耦合传递，实现数据的串行读写。该过程依赖精确的时钟信号控制电势阱的开启与闭合。
存储单元结构
由一系列紧密排列的金属-氧化物-半导体（MOS）电容构成。每个电容代表一个存储位，电荷量决定逻辑状态（如高电荷为"1"，低电荷为"0"）。

Boyle, W. S., & Smith, G. E. (1970). Charge Coupled Semiconductor Devices. Bell System Technical Journal.
Sequin, C. H., & Tompsett, M. F. (1975). Charge Transfer Devices. Academic Press.
IEEE Electron Device Society. (1988). CCD Technology in Memory Applications. IEEE Transactions on Electron Devices.

（注：因搜索结果未提供可验证链接，此处仅列出来源文献。实际撰写时可添加DOI链接或权威机构网页索引。）

“电荷耦合内存”是一个电子工程领域的专业术语，其英文对应为charge-coupled memory（简称CCM）。以下是该词的分项解析：

电荷（Charge）
指带电粒子（如电子或离子）在电场中积累的物理属性，是存储和传输数据的基础载体。在半导体器件中，电荷的分布与移动直接影响存储功能。
耦合（Coupled）
表示通过电场或物理结构使电荷在不同单元之间传递。例如，电荷耦合器件（CCD）通过控制电压逐级转移电荷，类似技术可能应用于此类内存的数据读写过程。
内存（Memory）
指计算机中用于临时或长期存储数据的硬件部件。电荷耦合内存可能通过电荷的存储状态（如“有电荷”或“无电荷”）表示二进制数据（0和1）。

特点与应用：

由于当前搜索结果信息有限，建议通过专业电子工程资料或行业标准文档进一步了解其技术实现和实际应用。