【電】 hole injection
electricity
【計】 telewriting
【化】 electricity
【醫】 Elec.; electricity; electro-; galvano-
cave; cavity; hole; hollow
【化】 hole; opening
【醫】 bore; cava; cavern; caverna; cavitas; cavitat; cavity; cavum; syringo-
injection; shot
【化】 injection
【醫】 Inj.; inject; injectio; injection
在電子工程領域，"電洞注射"（Hole Injection）指空穴載流子從金屬電極或P型半導體向半導體材料遷移的物理過程。該現象是半導體器件工作的基礎機制之一，其原理可通過三步分析：
載流子性質
電洞本質是共價鍵缺失電子形成的等效正電荷載體。在P型半導體中，受主雜質原子産生大量可移動空穴，形成多數載流子。
能量勢壘跨越
當金屬與半導體接觸時，通過正向偏置電壓降低肖特基勢壘高度，使金屬側的價帶空穴獲得足夠能量注入半導體導帶。該過程符合熱電子發射理論，遷移率公式為： $$ J = A^*T e^{-frac{qphi_B}{kT}} $$ 其中$phi_B$為勢壘高度，$T$為溫度。
器件應用實例
在PN結二極管中，正向偏壓下空穴從P區注入N區，與電子複合産生電流。有機發光二極管(OLED)的空穴注入層通過優化功函數匹配（如采用PEDOT:PSS材料），可提升發光效率達30%。
“電洞注射”是半導體物理領域的專業術語，其英文對應為hole injection。以下是詳細解釋：
電洞（Hole）
指半導體材料中因電子離開共價鍵形成的“空位”，表現為等效正電荷載流子。例如在P型半導體中，空穴是主要的導電載體。
電洞注射
指通過外部電場或結構設計，将空穴從某一區域（如電極）注入半導體材料中的過程。這一過程對器件導電性和功能實現至關重要。
空穴注射效率受材料能級匹配、界面特性等因素影響。例如，電極與半導體間的能壘過高會導緻注入困難，需通過“空穴注入層”優化。
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