疊層栅英文解釋翻譯、疊層栅的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 stack gate

fold; furl; pile up; repeat
【電】 overlay

layer; region; stage; story; stratum; tier
【計】 layer
【醫】 coat; lamella; lamellae; lamina; laminae; layer; strata; stratum

bar

疊層栅（stacked gate）是半導體器件中的一種多層級結構栅極設計，常見于非易失性存儲器（如閃存）和功率半導體器件領域。該結構通過垂直堆疊多個導電層與介質層實現電荷存儲與電場調控，其核心特征在于三維空間内的電荷隔離與耦合效率提升。

在技術實現層面，疊層栅通常包含浮置栅（floating gate）和控制栅（control gate）的雙層構造。浮置栅被二氧化矽介質層完全包裹以存儲電荷，控制栅則通過電容耦合實現對存儲單元的讀寫操作。這種結構可使電子隧穿效應發生在更精确的物理位置，從而提高器件的數據保持能力。

材料選擇上，現代疊層栅已發展出金屬-多晶矽混合結構（如TiN/W/SiON），通過功函數工程優化阈值電壓穩定性。國際半導體技術路線圖（ITRS）指出，該結構可将單元尺寸微縮至15nm以下，同時維持10年以上的數據保持周期。

行業應用方面，铠俠（Kioxia）在3D NAND閃存中采用112層堆疊栅結構，使存儲密度達到1.33Tb/in²。美國電氣電子工程師學會（IEEE）的測試數據顯示，這種設計使擦寫耐久性提升至10次循環，較平面結構提升兩個數量級。

“疊層栅”是電子器件領域的專業術語，主要指由多層材料堆疊形成的栅極結構，常見于半導體器件（如晶體管）中。以下是詳細解釋：

基本定義
疊層栅（stack gate），指将不同介電材料或導電材料分層疊加形成的複合栅極結構。這種設計常用于優化器件性能，例如提高介電常數或增強可靠性。
技術特點
- 材料組合：常用高介電常數材料（如HfO₂、Ta₂O₅）與基礎介質（如SiO₂）結合，形成疊層結構。
- 性能優勢：通過疊層設計可調控等效氧化層厚度（EOT），改善器件電學特性（如漏電流、壽命等）。
應用場景
主要應用于柔性薄膜晶體管、超薄栅介質器件等領域，通過疊層栅結構提升器件在低電壓下的穩定性和效率。
相關擴展
“栅”在電子學中多指電極（如栅極），而在其他語境中也可表示阻攔物（如栅欄）。疊層栅屬于專業術語，日常使用較少。

如需進一步了解疊層栅的具體參數或實驗數據，可參考半導體器件相關學術文獻或工程手冊。