叠层栅英文解释翻译、叠层栅的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 stack gate

fold; furl; pile up; repeat
【电】 overlay

layer; region; stage; story; stratum; tier
【计】 layer
【医】 coat; lamella; lamellae; lamina; laminae; layer; strata; stratum

bar

叠层栅（stacked gate）是半导体器件中的一种多层级结构栅极设计，常见于非易失性存储器（如闪存）和功率半导体器件领域。该结构通过垂直堆叠多个导电层与介质层实现电荷存储与电场调控，其核心特征在于三维空间内的电荷隔离与耦合效率提升。

在技术实现层面，叠层栅通常包含浮置栅（floating gate）和控制栅（control gate）的双层构造。浮置栅被二氧化硅介质层完全包裹以存储电荷，控制栅则通过电容耦合实现对存储单元的读写操作。这种结构可使电子隧穿效应发生在更精确的物理位置，从而提高器件的数据保持能力。

材料选择上，现代叠层栅已发展出金属-多晶硅混合结构（如TiN/W/SiON），通过功函数工程优化阈值电压稳定性。国际半导体技术路线图（ITRS）指出，该结构可将单元尺寸微缩至15nm以下，同时维持10年以上的数据保持周期。

行业应用方面，铠侠（Kioxia）在3D NAND闪存中采用112层堆叠栅结构，使存储密度达到1.33Tb/in²。美国电气电子工程师学会（IEEE）的测试数据显示，这种设计使擦写耐久性提升至10次循环，较平面结构提升两个数量级。

“叠层栅”是电子器件领域的专业术语，主要指由多层材料堆叠形成的栅极结构，常见于半导体器件（如晶体管）中。以下是详细解释：

基本定义
叠层栅（stack gate），指将不同介电材料或导电材料分层叠加形成的复合栅极结构。这种设计常用于优化器件性能，例如提高介电常数或增强可靠性。
技术特点
- 材料组合：常用高介电常数材料（如HfO₂、Ta₂O₅）与基础介质（如SiO₂）结合，形成叠层结构。
- 性能优势：通过叠层设计可调控等效氧化层厚度（EOT），改善器件电学特性（如漏电流、寿命等）。
应用场景
主要应用于柔性薄膜晶体管、超薄栅介质器件等领域，通过叠层栅结构提升器件在低电压下的稳定性和效率。
相关扩展
“栅”在电子学中多指电极（如栅极），而在其他语境中也可表示阻拦物（如栅栏）。叠层栅属于专业术语，日常使用较少。

如需进一步了解叠层栅的具体参数或实验数据，可参考半导体器件相关学术文献或工程手册。