存儲器存取時間英文解釋翻譯、存儲器存取時間的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 memory access time; storage access time

分詞翻譯：

存儲器的英語翻譯：

storage; store
【計】 M; memorizer; S

存取時間的英語翻譯：

access time
【計】 store access time

專業解析

存儲器存取時間（Memory Access Time）是計算機體系結構中的核心參數，指從處理器發出讀/寫請求到數據在存儲介質中完成傳輸所需的時間周期，通常以納秒（ns）為單位計量。該指标直接影響系統整體性能，尤其在實時數據處理和高頻計算場景中具有決定性作用。

從技術實現層面，存儲器存取時間包含三個關鍵階段：

地址解碼階段：控制器将邏輯地址轉換為物理存儲單元坐标，該過程涉及行地址選通（RAS）與列地址選通（CAS）的時序配合（參考David A. Patterson《計算機組成與設計》第5版）；
信號傳輸階段：電信號通過存儲陣列的位線與字線網絡傳遞，金屬層阻抗和電容負載會引入延遲（參考John L. Hennessy《計算機體系結構：量化研究方法》第6章）；
數據穩定階段：DRAM需完成電荷刷新校驗，SRAM則依賴鎖存器的電平保持，該差異導緻DRAM存取時間通常比SRAM長3-5倍（IEEE标準JESD79-4第4.2節）。

當前主流存儲介質的典型存取時間表現為：

靜态隨機存儲器（SRAM）：0.5-10ns
動态隨機存儲器（DRAM）：10-50ns
3D NAND閃存：50-100μs
機械硬盤（HDD）：5-10ms

該參數的優化需綜合考量工藝制程（如FinFET晶體管縮短電荷遷移路徑）、架構設計（Bank分組與預取緩沖技術）以及接口協議（DDR5相較DDR4将有效帶寬提升至6.4Gbps）等多維度創新。在超算領域，IBM Power10處理器通過HBM2e堆疊存儲器将存取時間壓縮至1.6ns，驗證了三維封裝技術的突破性進展（IBM Research Report, 2023）。

網絡擴展解釋

存儲器的存取時間（Access Time）是指從啟動一次存儲器操作（讀或寫）到完成該操作所經曆的時間。具體來說，當CPU向存儲器發送地址信號後，存儲器需要經過地址譯碼、數據讀取/寫入等步驟，最終将數據傳輸到指定位置，這一完整過程所需的時間即為存取時間。

關鍵要點：

定義與範圍
- 存取時間包括從地址信號穩定輸入到數據成功輸出（讀操作）或寫入（寫操作）的總耗時。
- 例如：CPU發出讀取指令後，存儲器響應并返回數據的總時間。
與存儲周期的區别
- 存取時間僅指單次操作耗時，而存儲周期（Memory Cycle）是連續兩次獨立操作（如兩次讀操作）之間所需的最小時間間隔。
- 存儲周期通常大于存取時間，因為需包含電路恢複時間（如預充電）。
影響因素
- 存儲器類型（如DRAM、SRAM）、工藝技術、電路設計等均會影響存取時間。
- 高速緩存（Cache）因結構簡單，存取時間通常短于主存。
實際意義
- 在系統設計中，存取時間直接影響數據傳輸效率和總線時序安排。
- 較短的存取時間可提升CPU與存儲器間的協同效率，減少等待延遲。

示例說明：

若某存儲器的存取時間為10ns，存儲周期為15ns，則完成一次讀操作需10ns，但下一次操作需等待至少15ns後才能啟動。