
【計】 half-bridge
half; in the middle; semi-
【計】 semi
【醫】 demi-; hemi-; semi-; semis; ss
【經】 quasi
bridge
【醫】 bridge; pons
"半橋"在電子工程領域中指由兩個功率開關器件(如MOSFET或IGBT)構成的電路拓撲結構,其英語對應術語為"Half-Bridge Circuit"。該結構通過交替導通兩個開關器件,可将直流電轉換為交流輸出,廣泛應用于電源轉換器、逆變器及電機驅動系統。
從電路構成分析,半橋拓撲包含以下核心元件:
典型工作模式采用脈寬調制(PWM)技術,通過調節占空比實現輸出電壓控制。相較于全橋電路,半橋具有元件數量少、控制邏輯簡單的優勢,但存在直流電壓利用率較低的固有缺陷。該結構在開關電源領域應用最為廣泛,特别是在500W-2kW功率等級的AC/DC轉換器中,可達到92%以上的轉換效率。
曆史發展方面,半橋拓撲的工業化應用始于1970年代IGBT器件的商業化。美國電力電子研究中心(CPES)1985年的實驗數據顯示,采用半橋結構的5kHz逆變器首次實現了體積縮減40%的技術突破。
半橋(Half Bridge)是電力電子中常見的拓撲結構,主要用于功率轉換和開關電源設計。以下是其核心要點:
半橋由兩個功率開關器件(如MOS管、IGBT)以圖騰柱形式連接,中間點作為輸出端,提供方波信號。
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