多孔磁心存儲器英文解釋翻譯、多孔磁心存儲器的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 transfluxor memory

分詞翻譯：

多孔的英語翻譯：

【醫】 porosity

磁心存儲器的英語翻譯：

【計】 CM; core memory; core storage; core store

專業解析

多孔磁心存儲器（英文：Core Rope Memory 或Magnetic Core Memory），是一種早期計算機使用的非易失性隨機存取存儲器（RAM）技術。其核心元件由微小的、具有磁滞特性的鐵氧體磁環（磁芯）構成，通過導線在磁芯中穿繞形成陣列，利用電流産生的磁場改變磁芯的磁化方向來存儲二進制數據（0或1）。該技術因制造時需要在磁芯上手工穿繞導線形成“孔網”結構而得名。

核心結構與工作原理

磁芯陣列：存儲器由大量微型磁芯按網格排列組成，每個磁芯代表一個存儲位（bit）。磁芯具有矩形磁滞回線特性，兩種剩磁狀态（順時針/逆時針磁化）分别對應二進制數據的“0”和“1”。
讀寫機制：
- 寫入：通過X、Y方向導線通入半選電流，僅在目标磁芯交叉點産生足夠磁場改變其磁化狀态。
- 讀取：通入反向電流，若磁芯狀态翻轉則感應電壓輸出“1”，否則為“0”（破壞性讀取，需重寫）。
多孔結構：名稱中的“多孔”源于制造工藝——導線需穿過磁芯中心孔洞編織成網，形成複雜的穿線矩陣以實現尋址功能。

曆史意義與應用

多孔磁心存儲器在20世紀50-70年代是計算機主流内存技術，因其非易失性（斷電後數據保留）和抗輻射性被廣泛應用于航天領域。最著名的案例是阿波羅導航計算機（Apollo Guidance Computer），其核心存儲模塊采用該技術，成功保障了登月任務的關鍵數據存儲。

技術局限與替代

盡管可靠性高，但其制造工藝複雜（需手工穿線）、密度低、速度慢且功耗大。隨着半導體集成電路發展，70年代後期逐漸被DRAM和SRAM取代。

權威參考資料

NASA技術報告：詳細記載阿波羅計算機中磁芯存儲器的設計與應用（來源：NASA History Division）。
《計算機曆史年鑒》：記錄磁芯存儲器的技術演進（來源：Computer History Museum）。
IEEE論文："Magnetic Core Memory for Spacecraft Computers"（來源：IEEE Xplore Digital Library）。

網絡擴展解釋

多孔磁心存儲器是一種早期計算機存儲技術，其核心特點與結構如下：

定義與組成
該設備由多孔磁性材料構成，屬于磁芯存儲器的一種改進類型。其英文術語為"transfluxor memory"，名稱中的"多孔"指磁性材料具有孔洞結構，"磁心存儲器"即通過磁芯磁化狀态存儲二進制數據的裝置。
結構特點
與傳統磁芯存儲器相比，多孔結構允許在單個磁芯上實現更多磁通路徑。這種設計通過孔洞形成的交叉磁路，能在單一磁芯元件上存儲多個比特數據，提升了存儲密度。
工作原理
利用電磁感應原理，通過不同方向的電流在孔洞周圍産生磁場，改變磁性材料的磁化方向（南極/北極）來記錄0/1信號。多孔結構使得磁通路徑更複雜，支持更精細的磁化控制。
應用背景
該技術主要用于20世紀50-70年代的早期計算機系統，屬于非易失性存儲技術，斷電後數據仍可保留。其多孔特性在提升存儲容量方面具有創新性，但後期逐漸被半導體存儲器取代。
現狀
目前多孔磁心存儲器已成為計算機發展史上的階段性技術，現代計算機普遍采用DRAM、閃存等新型存儲介質。其技術原理對磁性存儲材料研究仍有參考價值。

注：受限于搜索結果權威性，以上解析結合了術語翻譯和磁芯存儲器的通用技術背景。如需更詳細技術參數，建議查閱計算機存儲技術發展史專著。