激光二極管英文解釋翻譯、激光二極管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 laser diode

【電】 photodiode

激光二極管（Laser Diode，簡稱LD）是一種基于半導體材料的光電轉換器件，通過受激發射原理産生高方向性、高相幹性的單色激光。其核心結構由PN結、諧振腔和電極組成，工作時需施加正向偏置電壓以注入載流子，實現粒子數反轉與光放大效應。

從技術特性看，激光二極管具備以下關鍵參數：

根據美國國家标準與技術研究院（NIST）定義，該器件在光通信、醫療設備和精密加工領域具有不可替代性。例如，光纖通信系統依賴1310/1550nm波段激光二極管實現數據調制，而藍光激光二極管（445nm）已成為激光焊接的主流光源。

國際電工委員會（IEC 60825-1）嚴格規範其輻射安全标準，要求所有商用激光二極管必須标注危險等級。值得注意的是，器件的溫度敏感性導緻需要配備專用溫控電路（TEC），以維持波長穩定性±0.1nm/℃。

激光二極管（Laser Diode，LD）是一種基于半導體材料通過電注入産生激光的器件，結合了二極管特性與激光發射功能。以下從結構、原理、應用等方面詳細解釋：

激光二極管的核心結構為PN結，由P型和N型半導體材料組成。其分類依據PN結材料差異，包括：

關鍵組件為法布裡-珀羅諧振腔，由一對平行反射面（通常為半導體解理面）構成，用于光子的反射與放大，其餘粗糙面抑制雜散光。

載流子複合發光：
當正向電壓施加時，電子與空穴在PN結附近複合，釋放能量并産生光子（自發輻射）。此時若電流低于阈值，表現為類似LED的寬譜發光。
受激輻射與激光産生：
當電流超過阈值，形成粒子數反轉，光子通過諧振腔多次反射引發受激輻射，産生相位、波長一緻的光，最終輸出高相幹性激光。激光波長由禁帶寬度（Eg）決定：
$$ lambda = frac{hc}{E_g} $$
其中，h為普朗克常數，c為光速。

如需更詳細的技術參數或曆史發展，可參考搜狗百科或ROHM半導體資料。