
【计】 laser diode
激光二极管(Laser Diode,简称LD)是一种基于半导体材料的光电转换器件,通过受激发射原理产生高方向性、高相干性的单色激光。其核心结构由PN结、谐振腔和电极组成,工作时需施加正向偏置电压以注入载流子,实现粒子数反转与光放大效应。
从技术特性看,激光二极管具备以下关键参数:
根据美国国家标准与技术研究院(NIST)定义,该器件在光通信、医疗设备和精密加工领域具有不可替代性。例如,光纤通信系统依赖1310/1550nm波段激光二极管实现数据调制,而蓝光激光二极管(445nm)已成为激光焊接的主流光源。
国际电工委员会(IEC 60825-1)严格规范其辐射安全标准,要求所有商用激光二极管必须标注危险等级。值得注意的是,器件的温度敏感性导致需要配备专用温控电路(TEC),以维持波长稳定性±0.1nm/℃。
激光二极管(Laser Diode,LD)是一种基于半导体材料通过电注入产生激光的器件,结合了二极管特性与激光发射功能。以下从结构、原理、应用等方面详细解释:
激光二极管的核心结构为PN结,由P型和N型半导体材料组成。其分类依据PN结材料差异,包括:
关键组件为法布里-珀罗谐振腔,由一对平行反射面(通常为半导体解理面)构成,用于光子的反射与放大,其余粗糙面抑制杂散光。
载流子复合发光:
当正向电压施加时,电子与空穴在PN结附近复合,释放能量并产生光子(自发辐射)。此时若电流低于阈值,表现为类似LED的宽谱发光。
受激辐射与激光产生:
当电流超过阈值,形成粒子数反转,光子通过谐振腔多次反射引发受激辐射,产生相位、波长一致的光,最终输出高相干性激光。激光波长由禁带宽度(Eg)决定:
$$
lambda = frac{hc}{E_g}
$$
其中,h为普朗克常数,c为光速。
特性 | 激光二极管(LD) | 发光二极管(LED) |
---|---|---|
发光机制 | 受激辐射(需粒子数反转) | 自发辐射 |
光谱特性 | 窄谱、高相干性 | 宽谱、非相干光 |
电流阈值 | 需超过临界电流密度 | 无阈值,电流增大亮度线性提升 |
应用场景 | 高精度、高能领域(如通信、加工) | 普通照明、指示灯等 |
如需更详细的技术参数或历史发展,可参考搜狗百科或ROHM半导体资料。
【别人正在浏览】