霍耳效應英文解釋翻譯、霍耳效應的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【化】 Hall effect

分詞翻譯：

霍的英語翻譯：

quickly; suddenly

耳的英語翻譯：

ear; erbium
【醫】 aures; auri-; auris; ear; ot-; oto-

效應的英語翻譯：

effect
【醫】 effect

專業解析

霍爾效應（Hall Effect）是指導電材料在垂直于電流方向的磁場中産生橫向電勢差的現象。當電流通過導體或半導體時，載流子（電子或空穴）在洛倫茲力作用下發生偏轉，導緻材料兩側積累電荷，形成可測量的霍爾電壓（(V_H)）。其數學表達式為：

$$ V_H = frac{I B}{n e d} $$ 其中 (I) 為電流，(B) 為磁感應強度，(n) 為載流子濃度，(e) 為電子電荷量，(d) 為材料厚度。

核心機制與發現

載流子偏轉
運動電荷在磁場中受洛倫茲力 (F = q(vec{v} times vec{B})) 作用發生橫向偏轉，正負電荷分别積累于材料兩側，形成電場 (E_H)。當電場力與洛倫茲力平衡時，霍爾電壓穩定。
霍爾系數的物理意義
霍爾系數 (R_H = frac{1}{nq}) 直接反映載流子類型（符號）和濃度（大小），是區分導體（如金屬）和半導體（如N/P型）的關鍵參數。
埃德溫·霍爾的發現
1879年由美國物理學家埃德溫·霍爾（Edwin Hall）在約翰斯·霍普金斯大學實驗驗證，其成果發表于《American Journal of Mathematics》[來源：諾貝爾獎檔案，Edwin Hall生平]。

現代應用領域

磁場傳感：霍爾傳感器廣泛用于電機控制、位置檢測（如手機翻蓋開關）[來源：IEEE傳感器期刊]。
材料表征：測量半導體載流子濃度和遷移率（如通過範德堡法）[來源：《固體物理學》，黃昆著]。
量子霍爾效應：在低溫強磁場下發現的整數量子霍爾效應（1980年）和分數量子霍爾效應（1982年）分别獲諾貝爾物理學獎[來源：諾貝爾獎官網]。

權威參考文獻

Hall, E. H. (1879). On a New Action of the Magnet on Electric Currents. American Journal of Mathematics.
Kittel, C. (2005). Introduction to Solid State Physics (載流子輸運理論). John Wiley & Sons.
Nobel Prize Outreach AB (1985). The Quantum Hall Effect. [諾獎背景資料]

網絡擴展解釋

霍耳效應（Hall Effect）是電磁學中的基礎現象，指載流導體或半導體在垂直磁場中産生橫向電勢差的現象。以下是詳細解釋：

一、定義與發現

1879年，美國物理學家埃德溫·霍耳（Edwin Hall）在研究載流導體性質時首次發現該效應。當電流通過導體/半導體薄片，并在垂直電流方向施加磁場時，會在與電流和磁場均垂直的兩側表面産生電勢差。

二、物理機制

洛倫茲力作用：磁場對運動電荷（電子或空穴）施加洛倫茲力，導緻電荷向導體一側偏轉并積累。
橫向電場平衡：電荷積累形成橫向電場，當電場力與洛倫茲力平衡時，電勢差穩定，稱為霍爾電壓（$U_H$）。

三、數學表達

霍爾電壓公式為： $$ U_H = frac{I B}{n e d} $$ 其中：

$I$：電流強度
$B$：磁感應強度
$n$：載流子濃度
$e$：單個載流子電荷量
$d$：材料厚度。

四、材料差異

金屬：載流子濃度高，霍爾效應較弱。
半導體：載流子濃度低，效應更顯著，且可通過摻雜調控。

五、應用領域（補充說明）

霍耳效應是磁傳感器、電流測量設備的核心原理，并成為量子霍耳效應研究的基礎。

如需更完整的實驗細節或曆史背景，可參考、2、7等來源。