霍耳效应英文解释翻译、霍耳效应的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【化】 Hall effect

分词翻译：

霍的英语翻译：

quickly; suddenly

耳的英语翻译：

ear; erbium
【医】 aures; auri-; auris; ear; ot-; oto-

效应的英语翻译：

effect
【医】 effect

专业解析

霍尔效应（Hall Effect）是指导电材料在垂直于电流方向的磁场中产生横向电势差的现象。当电流通过导体或半导体时，载流子（电子或空穴）在洛伦兹力作用下发生偏转，导致材料两侧积累电荷，形成可测量的霍尔电压（(V_H)）。其数学表达式为：

$$ V_H = frac{I B}{n e d} $$ 其中 (I) 为电流，(B) 为磁感应强度，(n) 为载流子浓度，(e) 为电子电荷量，(d) 为材料厚度。

核心机制与发现

载流子偏转
运动电荷在磁场中受洛伦兹力 (F = q(vec{v} times vec{B})) 作用发生横向偏转，正负电荷分别积累于材料两侧，形成电场 (E_H)。当电场力与洛伦兹力平衡时，霍尔电压稳定。
霍尔系数的物理意义
霍尔系数 (R_H = frac{1}{nq}) 直接反映载流子类型（符号）和浓度（大小），是区分导体（如金属）和半导体（如N/P型）的关键参数。
埃德温·霍尔的发现
1879年由美国物理学家埃德温·霍尔（Edwin Hall）在约翰斯·霍普金斯大学实验验证，其成果发表于《American Journal of Mathematics》[来源：诺贝尔奖档案，Edwin Hall生平]。

现代应用领域

磁场传感：霍尔传感器广泛用于电机控制、位置检测（如手机翻盖开关）[来源：IEEE传感器期刊]。
材料表征：测量半导体载流子浓度和迁移率（如通过范德堡法）[来源：《固体物理学》，黄昆著]。
量子霍尔效应：在低温强磁场下发现的整数量子霍尔效应（1980年）和分数量子霍尔效应（1982年）分别获诺贝尔物理学奖[来源：诺贝尔奖官网]。

权威参考文献

Hall, E. H. (1879). On a New Action of the Magnet on Electric Currents. American Journal of Mathematics.
Kittel, C. (2005). Introduction to Solid State Physics (载流子输运理论). John Wiley & Sons.
Nobel Prize Outreach AB (1985). The Quantum Hall Effect. [诺奖背景资料]

网络扩展解释

霍耳效应（Hall Effect）是电磁学中的基础现象，指载流导体或半导体在垂直磁场中产生横向电势差的现象。以下是详细解释：

一、定义与发现

1879年，美国物理学家埃德温·霍耳（Edwin Hall）在研究载流导体性质时首次发现该效应。当电流通过导体/半导体薄片，并在垂直电流方向施加磁场时，会在与电流和磁场均垂直的两侧表面产生电势差。

二、物理机制

洛伦兹力作用：磁场对运动电荷（电子或空穴）施加洛伦兹力，导致电荷向导体一侧偏转并积累。
横向电场平衡：电荷积累形成横向电场，当电场力与洛伦兹力平衡时，电势差稳定，称为霍尔电压（$U_H$）。

三、数学表达

霍尔电压公式为： $$ U_H = frac{I B}{n e d} $$ 其中：

$I$：电流强度
$B$：磁感应强度
$n$：载流子浓度
$e$：单个载流子电荷量
$d$：材料厚度。

四、材料差异

金属：载流子浓度高，霍尔效应较弱。
半导体：载流子浓度低，效应更显著，且可通过掺杂调控。

五、应用领域（补充说明）

霍耳效应是磁传感器、电流测量设备的核心原理，并成为量子霍耳效应研究的基础。

如需更完整的实验细节或历史背景，可参考、2、7等来源。