
【化】 late barrier
after; back; behind; offspring; queen
【醫】 meta-; post-; retro-
【計】 potential barrier
【化】 barrier; potential barrier; potential energy barrier; potential hill
【醫】 potential barrier
在漢英詞典語境中,“後勢壘”對應的英文術語為“back barrier”或“post potential barrier”,指位于半導體器件或量子結構特定區域的後方能量障礙,用于限制載流子的運動範圍。該概念常見于以下兩個領域:
半導體器件物理
在異質結高電子遷移率晶體管(HEMT)中,後勢壘指異質結界面後方人為引入的寬帶隙材料層(如AlGaN/GaN結構),通過形成高能壘限制二維電子氣(2DEG)的橫向擴散,從而提升載流子濃度與遷移率。這種設計可有效降低器件漏電流,常見于高頻大功率器件。
量子隧穿效應
在量子力學研究中,後勢壘指粒子穿透勢壘後進入的勢能分布區域。根據量子隧穿理論,粒子穿越前勢壘後仍需克服後續能量梯度,其波函數在此區域的衰減特性直接影響隧穿概率計算。該模型被應用于掃描隧道顯微鏡(STM)和共振隧穿二極管(RTD)的能帶工程設計。
權威參考來源
“後勢壘”這一表述并非通用術語,但結合“勢壘”的常見定義可推測其可能的含義。以下是分點解釋:
勢壘的基本概念
在物理學中,“勢壘”(Potential Energy Barrier)指勢能高于周圍區域的能量屏障,常見于量子力學中的隧穿效應(粒子穿越勢壘的現象)。例如,電子在半導體材料中可能遇到勢壘,影響其運動。
“後勢壘”的可能含義
社會科學的類比用法
在社科領域,“勢壘”可比喻為阻礙發展的因素(如制度、文化等),而“後勢壘”可能指突破這些阻力後的狀态,例如改革後的新階段。
需注意的要點
如需更精準的解釋,請補充該術語的出處或應用背景。
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