
【化】 late barrier
after; back; behind; offspring; queen
【医】 meta-; post-; retro-
【计】 potential barrier
【化】 barrier; potential barrier; potential energy barrier; potential hill
【医】 potential barrier
在汉英词典语境中,“后势垒”对应的英文术语为“back barrier”或“post potential barrier”,指位于半导体器件或量子结构特定区域的后方能量障碍,用于限制载流子的运动范围。该概念常见于以下两个领域:
半导体器件物理
在异质结高电子迁移率晶体管(HEMT)中,后势垒指异质结界面后方人为引入的宽带隙材料层(如AlGaN/GaN结构),通过形成高能垒限制二维电子气(2DEG)的横向扩散,从而提升载流子浓度与迁移率。这种设计可有效降低器件漏电流,常见于高频大功率器件。
量子隧穿效应
在量子力学研究中,后势垒指粒子穿透势垒后进入的势能分布区域。根据量子隧穿理论,粒子穿越前势垒后仍需克服后续能量梯度,其波函数在此区域的衰减特性直接影响隧穿概率计算。该模型被应用于扫描隧道显微镜(STM)和共振隧穿二极管(RTD)的能带工程设计。
权威参考来源
“后势垒”这一表述并非通用术语,但结合“势垒”的常见定义可推测其可能的含义。以下是分点解释:
势垒的基本概念
在物理学中,“势垒”(Potential Energy Barrier)指势能高于周围区域的能量屏障,常见于量子力学中的隧穿效应(粒子穿越势垒的现象)。例如,电子在半导体材料中可能遇到势垒,影响其运动。
“后势垒”的可能含义
社会科学的类比用法
在社科领域,“势垒”可比喻为阻碍发展的因素(如制度、文化等),而“后势垒”可能指突破这些阻力后的状态,例如改革后的新阶段。
需注意的要点
如需更精准的解释,请补充该术语的出处或应用背景。
【别人正在浏览】