合金接面晶體管英文解釋翻譯、合金接面晶體管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 fused-junction transistor

alloy; metal
【化】 alloy
【醫】 alloy
【經】 alloy

receive; accept
【電】 connecting

face; surface; cover; directly; range; scale; side
【醫】 face; facies; facio-; prosopo-; surface

transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

合金接面晶體管（Alloy Junction Transistor）是一種早期半導體器件，其名稱來源于制造工藝中采用的合金化技術。該器件由三層半導體材料構成，通過熔融合金電極與半導體基底形成PN結，屬于雙極型晶體管（BJT）的一種基礎形态。以下從漢英術語對應及技術原理角度展開解釋：

結構組成與術語解析
中文"合金接面"對應英文"alloy junction"，指通過加熱合金材料（如铟球）與N型鍺或矽基底熔融結合形成的PN結。三個電極分别為發射極（Emitter）、基極（Base）和集電極（Collector），其中基極層厚度約數十微米。
制造工藝特性
制造過程中采用兩次合金化工藝：首先在半導體晶片兩側放置合金小球，高溫加熱使合金材料與半導體熔合，冷卻後形成兩個背對背的PN結。該工藝區别于擴散法，結深由合金材料與半導體的相變過程控制。
電氣特性與局限
合金結晶體管基區電阻較大，導緻高頻性能受限（截止頻率約3MHz），主要適用于低頻放大電路。其電流放大系數α與材料純度直接相關，早期産品α值多低于0.95。
曆史演進
作為1950年代主流晶體管類型，合金結晶體管後被擴散型晶體管取代。美國貝爾實驗室1951年公布的A型晶體管即屬此類，标志着固态電子器件商用化的重要裡程碑。

參考資料：

“合金接面晶體管”這一術語可能是指早期晶體管技術中的一種類型，其名稱可能因翻譯或曆史術語差異存在不同表述。根據電子器件發展曆史，可推測其對應的是“合金結型晶體管”（Alloy Junction Transistor），以下是詳細解釋：

合金接面晶體管是一種雙極型晶體管（BJT），通過合金工藝在半導體材料上形成PN結。它屬于早期晶體管技術（如20世紀50年代），主要用于低頻放大電路，後來逐漸被擴散法或平面工藝取代。

材料基礎
通常以鍺（Ge）或矽（Si）單晶作為基片（基區），在兩側通過高溫熔融金屬合金小球（如铟），形成發射極和集電極。例如：
- 基區為N型半導體，兩側合金形成P型區 →PNP型晶體管。
- 基區為P型半導體，合金形成N型區 →NPN型晶體管。
合金過程
在高溫下，金屬合金與半導體材料熔合，冷卻後形成合金結。這種工藝能精确控制結深和摻雜濃度，但難以實現高頻性能優化。

現代晶體管多采用擴散法或外延生長法，通過高溫擴散雜質形成結，能制造更薄基區，提升頻率特性。而合金法因工藝限制逐漸被淘汰。

合金結型晶體管是半導體技術發展的重要裡程碑，為後續更複雜的器件（如場效應晶體管、集成電路）奠定了基礎。

如果需要更專業的文獻支持，建議參考半導體器件發展史相關書籍或論文。