可控突崩元件英文解釋翻譯、可控突崩元件的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 controlled avalanche device

分詞翻譯：

可的英語翻譯：

approve; but; can; may; need; yet

控的英語翻譯：

accuse; charge; control

突崩的英語翻譯：

【電】 avalanche effect; cumulative ionization

元件的英語翻譯：

component; element; organ
【計】 E
【化】 element

專業解析

可控突崩元件（Controlled Avalanche Device）是電子工程領域中的半導體器件，其核心特征是在特定反向電壓下可精确觸發并維持雪崩擊穿現象。該器件通過控制載流子的雪崩倍增效應實現能量釋放，常用于過壓保護、電壓鉗位和瞬态抑制等場景。

從技術原理分析，此類元件利用半導體材料的摻雜濃度與結區寬度設計，使擊穿電壓具有可重複性和穩定性。典型結構包括四層PNPN排列，通過門極控制實現快速導通響應，響應時間可達納秒級（《半導體器件物理基礎》，清華大學出版社）。國際電工委員會IEC 60747-5标準指出，其動态阻抗需低于1Ω以确保有效能量耗散。

實際應用方面，可控突崩元件在開關電源、通信基站防雷設計中發揮關鍵作用。德州儀器應用手冊AN-97記載，其峰值脈沖功率處理能力可達3000W（10/1000μs波形），相較于傳統TVS二極管，具有更優的箝位精度和循環壽命。在工業自動化領域，ABB集團技術白皮書推薦将其并聯于PLC輸入模塊，用于抑制感性負載産生的瞬态過電壓。

材料特性研究顯示，采用碳化矽（SiC）基體的第三代半導體器件，其雪崩耐受溫度較矽基産品提升200°C（IEEE Transactions on Power Electronics Vol.37）。這種材料進步使得元件在新能源汽車充電樁等高功率場景的應用可靠性顯著增強。

網絡擴展解釋

“可控突崩元件”是電子工程領域的專業術語，其英文對應翻譯為controlled avalanche device（）。以下是其詳細解釋：

1.核心概念

“可控”：指該元件的工作狀态（如電壓、電流）可通過設計或外部條件精确控制，确保在特定條件下觸發或維持特定效應。
“突崩”（雪崩效應）：源自電學術語avalanche effect（），描述半導體器件在高反向電壓下，載流子因碰撞電離形成連鎖反應，導緻電流急劇增大的現象。
“元件”：指具有特定功能的電子器件，如二極管、晶體管等。

2.工作原理

此類元件通常利用半導體材料的雪崩擊穿特性，通過控制擊穿電壓阈值（如摻雜濃度、結構設計），使器件在高壓環境下穩定工作，避免不可逆損壞。例如：

雪崩二極管：用于過壓保護或高精度穩壓，通過可控雪崩效應吸收瞬間高壓脈沖。

3.應用場景

電路保護：防止靜電放電（ESD）或電壓浪湧。
穩壓電路：在電源管理中提供穩定輸出電壓。
高頻器件：利用快速響應特性，適用于通信設備。

4.補充說明

網頁中提到的cumulative ionization（累積電離）是雪崩效應的物理基礎，指載流子在高電場下連續碰撞産生新電子-空穴對的過程（）。這類元件需嚴格設計以平衡控制能力與耐受性。

如需更深入的技術參數或具體型號，建議查閱電子器件手冊或專業文獻。