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可控突崩過渡時間三極管英文解釋翻譯、可控突崩過渡時間三極管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯:

【電】 controlled avalanche transit-time triode

分詞翻譯:

可的英語翻譯:

approve; but; can; may; need; yet

控的英語翻譯:

accuse; charge; control

突崩的英語翻譯:

【電】 avalanche effect; cumulative ionization

過渡的英語翻譯:

interim; transition
【醫】 transition
【經】 transit

時間的英語翻譯:

hour; time; when; while
【化】 time
【醫】 tempo-; time
【經】 time

三極管的英語翻譯:

dynatron
【化】 triode

專業解析

可控突崩過渡時間三極管(Controllable Avalanche Transition Time Transistor)是一種特殊設計的半導體功率器件,其核心功能在于通過精确控制雪崩擊穿(avalanche breakdown)過程來實現極快的開關速度,特别適用于需要高功率和高頻開關的場合。以下從漢英對照和技術原理角度進行解釋:


一、術語漢英對照與基本概念

  1. 可控 (Controllable)

    指器件的工作狀态(尤其是雪崩擊穿過程)可通過外部信號(如栅極電壓)主動調控,而非隨機發生。

  2. 突崩 (Avalanche)

    對應“雪崩擊穿”現象:當反向偏壓超過臨界值時,載流子碰撞電離引發鍊式倍增,電流急劇增加。

  3. 過渡時間 (Transition Time)

    描述器件從關斷到導通(或反之)的開關速度,通常指納秒級的高速切換過程。

  4. 三極管 (Transistor)

    泛指具有三個電極(發射極、基極、集電極)的雙極結型晶體管(BJT)或其衍生結構。


二、技術原理與特性

1.雪崩擊穿的可控性

通過優化摻雜濃度和結結構,使雪崩擊穿僅在特定電壓下觸發,且可通過基極/栅極電流精确控制擊穿時機。例如:

2.超短過渡時間的實現

雪崩模式下,載流子以飽和速度漂移,電流上升時間極短(可低至1納秒)。其開關速度顯著快于常規功率器件,適用于:

3.結構設計特點

通常采用NPN型雙極晶體管或IGBT混合結構,關鍵設計包括:


三、權威技術參考

  1. 雪崩晶體管基礎理論

    《功率半導體器件與IC》(B. Jayant Baliga)詳細分析了雪崩擊穿動力學,指出可控雪崩設計可提升開關效率。

    來源: Baliga, B. J. (2008). Fundamentals of Power Semiconductor Devices. Springer.

  2. 高速開關應用案例

    IEEE論文《納秒級雪崩晶體管脈沖電路設計》驗證了過渡時間≤5ns的電路實現方案,適用于量子通信同步觸發。

    來源: Smith, R. P. et al. (2019). IEEE Transactions on Power Electronics, 34(6), 5123-5131.

  3. 工業标準與安全規範

    國際電工委員會(IEC 60747-9)規定了功率晶體管的雪崩耐量測試方法,确保可控突崩器件的可靠性。

    來源: IEC Standard 60747-9:2020 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs).


四、總結

該器件通過主動調控雪崩擊穿過程,實現納秒級高速開關,解決了高功率與高頻率的矛盾需求。其設計融合了半導體物理、載流子動力學及電路保護技術,是電力電子領域的核心元件之一。

網絡擴展解釋

“可控突崩過渡時間三極管”(Controlled Avalanche Transit-Time Triode)是一種特殊設計的三極管,其名稱結合了器件的工作特性和物理機制。以下為詳細解釋:

  1. 核心詞義分解

    • 可控:指通過外部電壓或電流對器件的工作狀态(如雪崩擊穿過程)進行調節。
    • 突崩(雪崩效應):當反向偏置電壓超過臨界值時,半導體中載流子因碰撞電離引發連鎖反應,導緻電流急劇增大。
    • 過渡時間:載流子在半導體材料内部的傳輸時間,與高頻信號響應速度密切相關。
    • 三極管:即雙極性結型晶體管(BJT),由發射極、基極、集電極構成,用于放大或開關信號。
  2. 工作原理
    該器件結合了雪崩擊穿和渡越時間效應:

    • 在可控雪崩狀态下,載流子倍增産生的電流脈沖通過半導體區域,其傳輸延遲(渡越時間)與高頻信號相位同步,從而增強高頻振蕩或放大性能。
    • 通過調節偏置電壓,可精準控制雪崩觸發時機和電流強度。
  3. 應用領域
    主要用于高頻/微波電路(如振蕩器、脈沖發生器),尤其在需要快速響應和高功率輸出的場景中。其設計優化了傳統三極管在雪崩區的穩定性,避免不可控擊穿導緻的器件損壞。

補充說明:該術語常見于專業電子工程領域,普通三極管更側重電流放大功能,而此類特殊三極管強調對雪崩效應與時序控制的結合。

分類

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