絕緣栅英文解釋翻譯、絕緣栅的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 insulated gate

be isolated from; insulation
【醫】 insulate; insulation; isolate; isolation

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絕緣栅（Insulated Gate）是電力電子與半導體器件中的核心結構，特指一種通過絕緣介質層隔離栅極金屬與半導體溝道的電極設計。其核心功能在于利用電場效應控制半導體器件的導通與關斷，實現高效電能轉換。以下是詳細解析：

漢英對照
- 中文：絕緣栅（Juéyuán Zhà）
- 英文：Insulated Gate
  來源：IEEE标準術語庫（IEEE Standards Association）
物理結構
由三層構成：
- 栅極金屬層（如多晶矽）：施加控制電壓
- 絕緣介質層（如二氧化矽 SiO₂）：隔離栅極與溝道
- 半導體溝道層（如矽基襯底）：形成載流子通道
  來源：清華大學電子工程系《功率半導體器件原理》

通過栅極電壓（V_GS）在絕緣層兩側形成電場，調控半導體溝道的導電性：

MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）
- 絕緣栅直接控制溝道電阻，適用于高頻開關場景（如電源適配器）。
IGBT（絕緣栅雙極型晶體管）
- 結合MOSFET栅控優勢與雙極晶體管大電流特性，用于高功率系統（如變頻器、電動汽車驅動）。
  來源：國際電力電子學會（IPEC）技術報告

低驅動功耗：栅極輸入阻抗高，僅需電壓信號控制；
高速開關：無少數載流子存儲效應，開關速度達納秒級；
抗幹擾性：絕緣層阻斷栅極與主電路的電接觸，提升可靠性。
來源：IEEE期刊《電力電子學報》（Transactions on Power Electronics）

權威參考文獻

絕緣栅（Insulated Gate）是半導體器件中的一種關鍵結構，主要用于隔離栅極與主導電通道，從而實現電壓控制的高效性。以下從結構、功能和應用三方面詳細解釋：

絕緣栅的核心是一層絕緣材料（如二氧化矽），位于栅極金屬層與半導體主通道之間。例如，在IGBT（絕緣栅雙極晶體管）中，栅極通過絕緣層與集電極、發射極隔離；在MOSFET（絕緣栅場效應管）中，栅極同樣通過氧化物絕緣層與溝道分離。

絕緣栅通過物理隔離實現電壓控制，是現代電力電子器件的核心設計之一，其高可靠性和高效性推動了能源轉換、工業自動化等領域的技術進步。