
【電】 crystal cutter
crystal; crystalloid
【化】 crystal
【醫】 Crys.; crystal
【醫】 wire scissors
晶體線剪(英文:Wire Saw Cutting)是一種利用金屬線(通常為金剛石塗層線)對硬脆材料(如單晶矽、多晶矽、藍寶石等晶體)進行精密切割的加工工藝。其核心原理是通過高速運動的金屬線攜帶磨料(或線本身鍍有磨粒),以線鋸的方式對材料進行連續摩擦切割,實現高精度、低損傷的分割。該技術廣泛應用于半導體晶圓制造、光伏矽片加工及光學材料處理領域。
指具有規則原子排列的固态材料,如矽晶體(Silicon Crystal)、藍寶石(Sapphire)。線剪工藝主要針對此類高硬度、高脆性材料。
通過張緊的金屬線在切割區域形成線網,利用線體的往複或單向運動,結合磨料(如碳化矽或金剛石)的微切削作用,實現材料的切片或分割。金剛石線剪(Diamond Wire Saw)因其高效率和低損耗,已成為主流技術。
線剪可實現亞毫米級薄片切割(如矽片厚度≤200μm),且表面損傷層深度可控在微米級,顯著優于傳統刀鋸。關鍵技術參數包括線速(10-15m/s)、進給壓力及冷卻液配方。
根據《中國機械工程學會術語庫》(CMES Glossary),晶體線剪被定義為:
“通過高速運動的金屬線攜帶磨粒,對脆性晶體材料進行連續切割的加工方法”。
國際光伏技術路線圖(ITRPV)指出,金剛石線剪技術是降低矽片成本的核心工藝,2025年市場滲透率預計達98%。
參考資料來源
關于“晶體線剪”這一術語的解釋,結合現有資料分析如下:
核心定義 “晶體線剪”是晶體切割工藝中的專業術語,指通過特定方向劃分切割線,将晶體分割為不同部分的工藝方法。該術語與晶體學中的“切割線”分類密切相關。
切割線分類
1線切割
沿晶體主晶軸方向切割(如立方晶系的a/b/c軸),切割後兩部分在主晶軸方向尺寸相同,其他方向不同。適用于對稱性較高的晶體(如立方體、六方晶體)。
2線切割
沿非主晶軸方向切割,切割後兩部分在非主晶軸方向尺寸相同。多用于四方晶體等非對稱性晶體結構。
操作步驟
術語背景 “晶體”指原子/離子按規則三維空間排列形成的固體(如石英、雲母),“線剪”則特指線性切割工藝。英文可譯為“crystal wire cutting”或“crystal linear shearing”。
注:當前資料中未明确記載“晶體線剪”的标準化定義,以上内容基于晶體切割工藝的常規操作及術語關聯性推導。如需更專業解釋,建議參考晶體學專業文獻。
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