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晶體生長段英文解釋翻譯、晶體生長段的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯:

【化】 crystal growing section

分詞翻譯:

晶體生長的英語翻譯:

【計】 crystal growth
【化】 crystal growth

段的英語翻譯:

part; passage; sect; section; segment
【計】 segment
【醫】 piece; sectile; segment; segmentum

專業解析

在漢英詞典視角下,“晶體生長段”指晶體從過飽和溶液、熔體或氣相中通過原子/分子有序排列形成特定結構的過程階段。其核心是物質從無序态向有序晶格結構的相變,涉及成核、擴散、界面反應等動力學步驟。

一、術語定義與物理本質

二、關鍵控制參數

  1. 驅動力

    過飽和度 $Delta C = C - C^$($C^$為平衡濃度)或過冷度 $Delta T = T_m - T$($T_m$為熔點),其值需超越能壘以觸發生長(經典成核理論)。

    $$ Delta G = -frac{16pigamma}{3(Delta mu)} $$

    ($gamma$:界面能,$Delta mu$:化學勢差)

  2. 界面動力學

    生長速率 $R$ 受Burton-Cabrera-Frank模型描述:

    $$ R propto expleft(-frac{E_a}{kT}right) cdot Delta C $$

    ($E_a$:活化能,$k$:玻爾茲曼常數)。

三、典型生長機制

機制類型 適用體系 特征
層狀生長(Layer-by-layer) 氣相/溶液生長 二維成核→台階橫向擴展
螺旋位錯生長(Screw dislocation) 熔體生長 無需成核,連續螺旋上升
連續生長(Continuous) 高驅動力體系 粗糙界面直接附着

四、應用領域與技術關聯

參考來源

  1. Principles of Crystal Growth (Springer, 2010) 第4章界面動力學模型
  2. Handbook of Crystal Growth (Elsevier, 2015) 第15章溶液生長理論
  3. Crystallization Technology Handbook (CRC Press, 2019) 藥物結晶工藝設計章節

網絡擴展解釋

晶體生長是指物質在特定條件下(如溫度、壓力、過飽和度等)通過氣相、液相或固相轉變,形成具有規則幾何排列的晶體的過程。以下是其核心要點:

一、定義與本質

晶體生長本質上是物質從無序狀态向高度有序晶相轉變的過程。它既包含宏觀層面的界面推移(如溶液中的溶質向晶體表面遷移),也涉及微觀層面的原子/分子基元在晶體表面定向排列。例如,科塞爾-斯特蘭斯基理論提出,晶體通過逐層堆積基元的方式生長,優先在能量最有利的三面凹角位置結合。

二、主要階段

  1. 成核階段
    當介質達到過飽和或過冷卻狀态時,原子/分子通過熱運動形成微小晶核。此時晶核的穩定性取決于表面能與體積能的平衡。

  2. 生長階段

    • 擴散:溶質從溶液中遷移至晶體表面(受擴散速率或對流影響)。
    • 吸附與排列:原子/分子吸附在晶體表面,并通過定向運動形成規則晶格結構。此階段可能伴隨層狀生長或階梯狀擴展。

三、影響因素

四、典型現象

總結來看,晶體生長是物理化學條件與微觀結構相互作用的動态平衡過程,其機制既包含經典理論(如層生長模型),也需結合實際擴散、吸附等動力學因素分析。

分類

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