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晶体生长段英文解释翻译、晶体生长段的近义词、反义词、例句

英语翻译:

【化】 crystal growing section

分词翻译:

晶体生长的英语翻译:

【计】 crystal growth
【化】 crystal growth

段的英语翻译:

part; passage; sect; section; segment
【计】 segment
【医】 piece; sectile; segment; segmentum

专业解析

在汉英词典视角下,“晶体生长段”指晶体从过饱和溶液、熔体或气相中通过原子/分子有序排列形成特定结构的过程阶段。其核心是物质从无序态向有序晶格结构的相变,涉及成核、扩散、界面反应等动力学步骤。

一、术语定义与物理本质

二、关键控制参数

  1. 驱动力

    过饱和度 $Delta C = C - C^$($C^$为平衡浓度)或过冷度 $Delta T = T_m - T$($T_m$为熔点),其值需超越能垒以触发生长(经典成核理论)。

    $$ Delta G = -frac{16pigamma}{3(Delta mu)} $$

    ($gamma$:界面能,$Delta mu$:化学势差)

  2. 界面动力学

    生长速率 $R$ 受Burton-Cabrera-Frank模型描述:

    $$ R propto expleft(-frac{E_a}{kT}right) cdot Delta C $$

    ($E_a$:活化能,$k$:玻尔兹曼常数)。

三、典型生长机制

机制类型 适用体系 特征
层状生长(Layer-by-layer) 气相/溶液生长 二维成核→台阶横向扩展
螺旋位错生长(Screw dislocation) 熔体生长 无需成核,连续螺旋上升
连续生长(Continuous) 高驱动力体系 粗糙界面直接附着

四、应用领域与技术关联

参考来源

  1. Principles of Crystal Growth (Springer, 2010) 第4章界面动力学模型
  2. Handbook of Crystal Growth (Elsevier, 2015) 第15章溶液生长理论
  3. Crystallization Technology Handbook (CRC Press, 2019) 药物结晶工艺设计章节

网络扩展解释

晶体生长是指物质在特定条件下(如温度、压力、过饱和度等)通过气相、液相或固相转变,形成具有规则几何排列的晶体的过程。以下是其核心要点:

一、定义与本质

晶体生长本质上是物质从无序状态向高度有序晶相转变的过程。它既包含宏观层面的界面推移(如溶液中的溶质向晶体表面迁移),也涉及微观层面的原子/分子基元在晶体表面定向排列。例如,科塞尔-斯特兰斯基理论提出,晶体通过逐层堆积基元的方式生长,优先在能量最有利的三面凹角位置结合。

二、主要阶段

  1. 成核阶段
    当介质达到过饱和或过冷却状态时,原子/分子通过热运动形成微小晶核。此时晶核的稳定性取决于表面能与体积能的平衡。

  2. 生长阶段

    • 扩散:溶质从溶液中迁移至晶体表面(受扩散速率或对流影响)。
    • 吸附与排列:原子/分子吸附在晶体表面,并通过定向运动形成规则晶格结构。此阶段可能伴随层状生长或阶梯状扩展。

三、影响因素

四、典型现象

总结来看,晶体生长是物理化学条件与微观结构相互作用的动态平衡过程,其机制既包含经典理论(如层生长模型),也需结合实际扩散、吸附等动力学因素分析。

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