晶體管性能英文解釋翻譯、晶體管性能的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 transistor performance

transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

ability; able; be able to; can; capable; energy; skill
【化】 energy
【醫】 energy

晶體管性能（transistor performance）指晶體管在電子電路中所表現出的電氣特性與工作效率，是衡量其質量與應用價值的關鍵指标。以下從漢英詞典定義出發，結合工程實踐進行詳細解釋：

電流增益（Current Gain）
指晶體管輸出電流與輸入電流的比值，常用參數為$beta$（直流電流增益）和$h_{fe}$（交流電流增益）。高增益值表明晶體管對小信號放大能力強。

示例：矽晶體管的典型$beta$值範圍為50-200，直接影響放大電路的效率。
頻率響應（Frequency Response）
由特征頻率 $fT$ 和截止頻率 $f{text{max}}$ 描述，反映晶體管處理高頻信號的能力。$f_T$ 定義為電流增益降至1時的頻率，高頻晶體管可達數百GHz。

應用關聯：射頻電路需選用高$f_T$晶體管以減少信號失真。
開關特性（Switching Characteristics）
包括開啟時間（t{text{on}}$）和關斷時間（t{text{off}}$），衡量晶體管在數字電路中狀态切換的速度。納秒級延遲是高速開關器件的标志。

功耗與熱穩定性（Power Dissipation & Thermal Stability）
最大功耗 $P_{text{max}}$ 和結溫 $T_j$ 決定器件長期工作的可靠性。功率晶體管需配合散熱設計，避免熱擊穿。

數據手冊參考：$P_{text{max}}$通常标注在25°C環境溫度下的安全值。
噪聲系數（Noise Figure）
量化晶體管引入信號噪聲的程度，低噪聲放大器（LNA）要求噪聲系數低于2dB。

權威參考來源：

（注：因搜索結果未提供具體網頁鍊接，此處引用經典教材與行業出版物作為理論依據。）

晶體管性能主要指其在電子電路中所表現出的關鍵電學特性及功能指标，綜合多個來源的信息，主要包含以下方面：

電流放大作用
晶體管的核心性能之一是放大微弱信號的能力。通過基極電流的微小變化控制集電極-發射極間的大電流變化（如NPN型晶體管）。這種特性使其成為放大器件的核心元件，例如在音頻設備或通信系統中應用。
開關特性
晶體管可作為高速電子開關，通過控制基極電壓實現導通（飽和狀态）或截止狀态切換。實驗室中切換速度可達100GHz以上，遠高于機械開關，適用于數字電路和計算機處理器。
工作狀态與伏安特性
根據PN結偏置情況，晶體管有四種工作狀态：
- 放大狀态：用于信號放大；
- 飽和/截止狀态：用于開關功能；
- 倒置狀态：特殊電路設計中使用。
  其輸入輸出特性曲線（如共射極電路的$IC$-$V{CE}$曲線）直觀反映了電流與電壓的關系。
類型差異與參數指标
- 結構類型：NPN型與PNP型雙極晶體管、場效應管（FET）等，不同結構對應不同的電流控制方式；
- 關鍵參數：包括最大集電極電流（$I{CM}$）、擊穿電壓（$V{CEO}$）、特征頻率（$f_T$）等，直接影響電路設計中的選型。
穩定性與功耗
晶體管在高溫或高電壓下的熱穩定性、漏電流等參數也屬于性能評估範疇，尤其在功率放大器和電源管理中需重點考量。

如需更詳細的參數對比或具體型號性能，可參考半導體廠商提供的技術文檔（如、5提及的伏安特性曲線及參數表）。