晶体管性能英文解释翻译、晶体管性能的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 transistor performance

transistor
【计】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

ability; able; be able to; can; capable; energy; skill
【化】 energy
【医】 energy

晶体管性能（transistor performance）指晶体管在电子电路中所表现出的电气特性与工作效率，是衡量其质量与应用价值的关键指标。以下从汉英词典定义出发，结合工程实践进行详细解释：

电流增益（Current Gain）
指晶体管输出电流与输入电流的比值，常用参数为$beta$（直流电流增益）和$h_{fe}$（交流电流增益）。高增益值表明晶体管对小信号放大能力强。

示例：硅晶体管的典型$beta$值范围为50-200，直接影响放大电路的效率。
频率响应（Frequency Response）
由特征频率 $fT$ 和截止频率 $f{text{max}}$ 描述，反映晶体管处理高频信号的能力。$f_T$ 定义为电流增益降至1时的频率，高频晶体管可达数百GHz。

应用关联：射频电路需选用高$f_T$晶体管以减少信号失真。
开关特性（Switching Characteristics）
包括开启时间（t{text{on}}$）和关断时间（t{text{off}}$），衡量晶体管在数字电路中状态切换的速度。纳秒级延迟是高速开关器件的标志。

功耗与热稳定性（Power Dissipation & Thermal Stability）
最大功耗 $P_{text{max}}$ 和结温 $T_j$ 决定器件长期工作的可靠性。功率晶体管需配合散热设计，避免热击穿。

数据手册参考：$P_{text{max}}$通常标注在25°C环境温度下的安全值。
噪声系数（Noise Figure）
量化晶体管引入信号噪声的程度，低噪声放大器（LNA）要求噪声系数低于2dB。

权威参考来源：

（注：因搜索结果未提供具体网页链接，此处引用经典教材与行业出版物作为理论依据。）

晶体管性能主要指其在电子电路中所表现出的关键电学特性及功能指标，综合多个来源的信息，主要包含以下方面：

电流放大作用
晶体管的核心性能之一是放大微弱信号的能力。通过基极电流的微小变化控制集电极-发射极间的大电流变化（如NPN型晶体管）。这种特性使其成为放大器件的核心元件，例如在音频设备或通信系统中应用。
开关特性
晶体管可作为高速电子开关，通过控制基极电压实现导通（饱和状态）或截止状态切换。实验室中切换速度可达100GHz以上，远高于机械开关，适用于数字电路和计算机处理器。
工作状态与伏安特性
根据PN结偏置情况，晶体管有四种工作状态：
- 放大状态：用于信号放大；
- 饱和/截止状态：用于开关功能；
- 倒置状态：特殊电路设计中使用。
  其输入输出特性曲线（如共射极电路的$IC$-$V{CE}$曲线）直观反映了电流与电压的关系。
类型差异与参数指标
- 结构类型：NPN型与PNP型双极晶体管、场效应管（FET）等，不同结构对应不同的电流控制方式；
- 关键参数：包括最大集电极电流（$I{CM}$）、击穿电压（$V{CEO}$）、特征频率（$f_T$）等，直接影响电路设计中的选型。
稳定性与功耗
晶体管在高温或高电压下的热稳定性、漏电流等参数也属于性能评估范畴，尤其在功率放大器和电源管理中需重点考量。

如需更详细的参数对比或具体型号性能，可参考半导体厂商提供的技术文档（如、5提及的伏安特性曲线及参数表）。