晶體管電路英文解釋翻譯、晶體管電路的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 transistor circuit

transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

circuit; circuitry
【計】 electrocircuit
【化】 circuit; electric circuit
【醫】 circuit

晶體管電路（Transistor Circuit）是指以晶體管為核心元件構建的電子電路系統，通過控制電流實現信號放大、開關操作及邏輯處理等功能。以下從漢英對照與工程應用角度展開解釋：

結構與核心術語
晶體管（Transistor）由半導體材料構成，包含基極（Base）、集電極（Collector）和發射極（Emitter）三個區域（BJT型）或栅極（Gate）、源極（Source）、漏極（Drain）（FET型）。其英文術語源自“transfer resistor”（轉移電阻器），體現其對電流的調控特性。
工作原理
晶體管通過基極/栅極的小電流或電壓信號，控制集電極-發射極或源極-漏極的主電流，實現放大作用。例如，BJT遵循$$I_C = beta I_B$$（β為電流放大系數），而FET遵循$$ID = k(V{GS} - V{TH})$$（k為跨導，$V{TH}$為阈值電壓）。
電路分類
- 模拟電路：如共射放大器（Common Emitter Amplifier），用于音頻信號放大；
- 數字電路：如CMOS反相器，基于晶體管開關特性實現邏輯門功能；
- 功率電路：如開關電源中的MOSFET，用于高效電能轉換。
典型應用場景
晶體管電路廣泛應用于通信設備（射頻放大器）、計算機芯片（CPU邏輯單元）、新能源系統（光伏逆變器）等領域。例如，5G基站功率放大器采用GaN晶體管以提升高頻性能。
行業标準與參考
晶體管參數需符合國際規範，如JEDEC（固态技術協會）的可靠性測試标準，以及IEEE 315-1975電氣符號标準。

晶體管電路是指利用晶體管作為核心元件構建的電子電路。晶體管是一種半導體器件，具有放大電信號、開關控制、信號調制等功能，是現代電子設備的基礎組成部分。以下從幾個方面詳細解釋：

晶體管通常由三個半導體材料層構成（如NPN或PNP結構），分為基極（B）、集電極（C）、發射極（E）。其核心功能是通過基極的小電流控制集電極與發射極之間的大電流，從而實現信號放大或開關作用。例如：

根據功能不同，晶體管電路可分為：

晶體管電路是集成電路（IC）的基礎，單個芯片可集成數十億晶體管（如CPU）。此外，場效應晶體管（FET）和CMOS技術進一步降低了功耗，推動了便攜式設備的發展。

如果需要進一步了解具體電路實例或公式推導（如放大倍數計算），可提供更具體的問題方向。