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晶體管英文解釋翻譯、晶體管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯:

transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

分詞翻譯:

晶體的英語翻譯:

crystal; crystalloid
【化】 crystal
【醫】 Crys.; crystal

管的英語翻譯:

canal; duct; fistula; guarantee; meatus; pipe; tube; wind instrument
【化】 pipe; tube
【醫】 canal; canales; canalis; channel; duct; ductus; salpingo-; salpinx
syringo-; tuba; tube; tubi; tubing; tubo-; tubus; vas; vaso-; vessel

專業解析

晶體管(Transistor)是一種基于半導體材料制成的三端電子器件,具有信號放大和電子開關的核心功能。其名稱源于英文"transistor" 的音譯,由"transfer"(轉移) 和"resistor"(電阻器) 組合而成,意指其通過輸入信號控制輸出電流的特性。以下從漢英詞典與技術角度解析其詳細含義:


一、術語構成與基本定義

  1. 中文解析

    • 晶體:指構成器件的半導體晶體材料(如矽、鍺)。
    • 管:沿用早期電子器件分類(如電子管),代指具有特定功能的電子元件。
    • 晶體管 ⇒通過半導體晶體實現電流控制的器件。
  2. 英文定義

    • Transistor:

      "A semiconductor device with three terminals, capable of amplifying or switching electronic signals."

      (一種具有三個端子的半導體器件,能夠放大或切換電子信號。)


二、核心功能與技術特性

  1. 信號放大

    通過小電流/電壓輸入(基極)控制大電流輸出(集電極),實現信號放大,應用于收音機、通信設備等。

    公式:

    $$ beta = frac{I_C}{I_B}

    $$

    ($beta$為電流放大系數,$I_C$為集電極電流,$I_B$為基極電流)

  2. 電子開關

    通過控制基極電壓,使晶體管在導通(飽和區)與截止(截止區)狀态間切換,用于數字電路邏輯門、處理器等。

  3. 三端結構

    • 基極(Base):控制電流輸入。
    • 集電極(Collector):主電流輸入端。
    • 發射極(Emitter):主電流輸出端。

三、類型與演進

  1. 雙極結型晶體管(BJT)

    • 通過電子和空穴兩種載流子工作,分NPN與PNP型。
    • 特點:高增益、低噪聲,適用于模拟放大電路。
  2. 場效應晶體管(FET)

    • 包括MOSFET(金屬氧化物半導體場效應管)、JFET(結型場效應管)。
    • 特點:高輸入阻抗、低功耗,主導現代集成電路設計。

四、權威定義參考來源

  1. 《牛津電子工程詞典》

    "Transistor: An active semiconductor component with three electrodes, performing amplification by controlling current flow."

    (晶體管:具有三個電極的有源半導體元件,通過控制電流實現放大功能。)

  2. IEEE标準術語庫

    "A solid-state device utilizing semiconductor material to modulate electrical signals via carrier injection."

    (利用半導體材料通過載流子注入調制電信號的固态器件。)


五、應用領域


參考資料

Britannica: Transistor Definition

MIT OpenCourseWare: Semiconductor Physics

IEEE Xplore: Bipolar Transistor Operation

Oxford Dictionary of Electronics

IEEE Standards Glossary

網絡擴展解釋

晶體管(Transistor)是一種半導體器件,主要用于放大電信號、切換電路狀态或控制電流流動。它是現代電子設備的核心元件,幾乎存在于所有電子系統中,如計算機、手機、放大器等。

核心概念解析

  1. 基本結構
    晶體管通常由半導體材料(如矽或鍺)制成,包含三個電極:

    • 雙極型晶體管(BJT):基極(Base)、集電極(Collector)、發射極(Emitter)。
    • 場效應晶體管(FET):栅極(Gate)、源極(Source)、漏極(Drain)。
  2. 工作原理

    • 放大作用:通過小電流/電壓控制大電流(如BJT中基極電流控制集電極-發射極電流)。
    • 開關作用:通過輸入信號的通斷控制電路導通或關閉(如數字邏輯電路中的“0”和“1”狀态)。
  3. 主要類型

    • 雙極型晶體管(BJT):通過電流控制,響應速度快,常用于模拟電路。
    • 場效應晶體管(FET):通過電壓控制,功耗低,廣泛用于集成電路。
    • MOSFET(金屬-氧化物半導體場效應管):現代CPU和内存芯片的核心元件。
  4. 關鍵特性

    • 增益:放大信號的能力。
    • 開關速度:從導通到關閉的時間,影響處理頻率。
    • 功耗:工作時消耗的能量,低功耗是便攜設備的關鍵。

應用領域

曆史意義

晶體管于1947年由貝爾實驗室的巴丁、布拉頓和肖克利發明,取代了笨重的真空管,推動了電子設備的小型化和高效化,被認為是20世紀最重要的發明之一,并因此獲得1956年諾貝爾物理學獎。

分類

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