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晶片形電容器英文解釋翻譯、晶片形電容器的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯:

【電】 chip capacitor

分詞翻譯:

晶片的英語翻譯:

chip; wafer
【電】 chip; crystal plate; wafer

形的英語翻譯:

appear; body; compare; entity; form; look; shape
【醫】 appearance; morpho-; shape

電容器的英語翻譯:

capacitor
【化】 capacitor; condenser
【醫】 capacitor; condenser

專業解析

晶片形電容器(Chip Capacitor)是一種表面貼裝技術(SMT)中廣泛使用的無源電子元件,其英文直譯為"Chip Capacitor"或"Multilayer Ceramic Chip Capacitor (MLCC)"。它采用多層陶瓷介質與内部電極交替堆疊的結構,外部由金屬端電極封裝,形成微型化、高可靠性的電荷存儲器件。以下是其詳細解釋:


一、核心定義與結構

  1. 術語構成

    • 晶片形:指其物理形态為矩形薄片狀,類似"芯片"(Chip),尺寸标準化(如0402、0603等編碼,對應1.0×0.5mm、1.6×0.8mm)。
    • 電容器:基于介電質(如陶瓷)分隔兩電極,實現電荷存儲與釋放的被動元件。
  2. 内部結構

    • 介質層:陶瓷材料(如X7R、C0G)提供高介電常數(k值),決定電容值(C)和溫度穩定性。
    • 電極層:交替疊層的金屬(通常為鎳/銅)内部電極,通過并聯增大有效面積,滿足小型化高容值需求。
    • 端電極:外部可焊端子(鍍錫/銀),實現電路闆(PCB)表面貼裝連接。

二、工作原理與特性

  1. 電荷存儲機制

    根據電容公式:

    $$ C = epsilon_r epsilon_0 frac{A}{d} $$

    其中:

    • C:電容值(法拉)
    • epsilon_r:介電質相對介電常數
    • epsilon_0:真空介電常數(8.85×10⁻¹² F/m)
    • A:電極有效面積
    • d:介電質厚度

    通過薄層化介質(d↓)和高k陶瓷(epsilon_r↑),實現微型化高容值設計。

  2. 關鍵性能參數

    • 容值範圍:0.1pF~100μF(覆蓋去耦、濾波等場景)
    • 電壓等級:4V~100V DC,耐受電路工作電壓
    • ESR/ESL:低等效串聯電阻(ESR)與電感(ESL),適合高頻應用(如RF電路)
    • 溫度系數:由陶瓷類型決定(如C0G:±30ppm/℃;X7R:±15%)

三、典型應用場景

  1. 電源管理:
    • 旁路/去耦電容:濾除高頻噪聲,穩定IC供電電壓(如CPU/GPU周邊)。
  2. 信號處理:
    • 高頻耦合/濾波:用于射頻模塊、通信設備(如5G基站、手機天線)。
  3. 微型化設備:
    • 便攜電子産品:智能手表、耳機等空間受限場景依賴其小尺寸特性。

四、權威參考來源

  1. 行業标準規範
    • EIA-198:美國電子工業協會對陶瓷介質分類标準(如X7R、Y5V)
    • IEC 60384:國際電工委員會對固定電容器的測試與額定值規範
  2. 技術手冊
    • Murata MLCC指南:全球領先廠商對結構、選型的詳細說明
    • TDK電容百科全書:涵蓋材料特性與應用設計原則

五、術語對照與擴展

中文術語 英文術語
晶片形電容器 Chip Capacitor / MLCC
介電質 Dielectric Material
端電極 Termination Electrode
溫度系數 Temperature Coefficient (TC)
等效串聯電阻 Equivalent Series Resistance (ESR)

注:以上參考來源需替換為實際可訪問的權威鍊接(如标準機構官網、廠商技術文檔),此處因未提供具體網頁鍊接,僅标注來源類型。

網絡擴展解釋

晶片形電容器(也稱為貼片電容器)是一種適用于表面貼裝技術(SMT)的電子元件,主要用于現代小型化電子設備的電路闆組裝。以下是其核心結構與特點的詳細解釋:

1.基本定義

晶片形電容器通過表面貼裝技術直接焊接在電路闆上,無需傳統引線穿孔安裝,具有體積小、集成度高的特點。

2.核心結構

3.技術優勢

4.應用場景

主要用于手機、電腦、汽車電子等對空間要求嚴格的領域,尤其在高密度電路闆中廣泛應用。

如需進一步了解制造工藝或參數細節,可參考專利文獻或電子元件手冊。

分類

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