靜電内存英文解釋翻譯、靜電内存的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 electrostatic memory

分詞翻譯：

靜電的英語翻譯：

static
【計】 xerocoty
【醫】 franklinism; static electricity

内存的英語翻譯：

【計】 core storage; core store; EMS memory; internal storage; memory

專業解析

靜電内存（Electrostatic Memory）是一種基于電荷存儲原理的半導體存儲器技術，其核心依賴電容器在絕緣介質中維持靜電場的能力實現數據保存。該技術通過控制電容器兩極間的電勢差，将二進制數據編碼為電荷存在（邏輯1）或缺失（邏輯2）狀态。

從物理結構分析，靜電内存單元通常由微型電容器與場效應晶體管（FET）組成。寫入操作時，電壓脈沖向電容器注入電荷；讀取過程則通過檢測電容器的電荷狀态觸發晶體管導通或關閉，從而輸出對應電信號。相較于動态隨機存儲器（DRAM），靜電内存因無需周期性刷新而具備更低功耗特性，但其電荷保持時間受介質漏電流限制，需配合糾錯電路提升數據可靠性。

該技術在現代存儲器領域主要應用于嵌入式系統與低功耗設備，例如德州儀器（TI）的MSP430系列微控制器即采用改進型靜電存儲單元實現非易失數據存儲。IEEE電子器件期刊研究指出，采用高介電常數材料的鐵電存儲器（FeRAM）可顯著提升電荷保持時長至10年以上。

網絡擴展解釋

根據搜索結果的綜合分析，“靜電内存”這一表述可能涉及兩個獨立概念的組合，需分别解釋其含義及關聯性：

一、靜電的定義與原理

靜電（static electricity）指物體表面靜止的電荷積累現象。其産生主要由于不同材料摩擦導緻電子轉移，例如内存芯片運行時電子與材料摩擦會分離電荷（）。高權威來源（）将其定義為「不流動的電荷」，常見于電子設備表面，可能引發放電現象。

二、内存中的靜電現象

内存作為電子設備的核心部件，靜電問題尤為突出：

産生原因：内存運行時，電子在芯片表面高速運動，與絕緣材料摩擦導緻電荷轉移，形成靜電積累（）。
潛在危害：靜電放電（ESD）可能擊穿内存芯片的微型電路，造成數據丢失或硬件損壞。

三、防護措施

建議采用以下方法降低靜電風險：

使用防靜電手腕帶或防靜電墊
安裝内存前觸摸接地的金屬物體釋放電荷
避免在幹燥環境中直接接觸内存芯片（）

四、概念補充

需注意“靜電内存”并非标準術語，可能為以下兩種理解的組合：

内存的靜電防護（如上述解釋）
靜電容量：部分網頁提及的電容特性（），但與内存無直接關聯。

建議在操作電子設備時嚴格遵守防靜電規範，具體技術參數可參考電子工程相關手冊。