擴散層電阻英文解釋翻譯、擴散層電阻的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 diffused-layed resistor

【化】 diffusion layer

resistance
【計】 ohmic resistance; R
【化】 resistance
【醫】 resistance

在電子工程與半導體物理領域，"擴散層電阻"（Diffusion Layer Resistance）指載流子在半導體材料的擴散層區域内移動時受到的阻礙作用。該電阻主要由載流子濃度梯度和散射機制決定，直接影響器件的電流傳輸效率。以下是詳細解釋：

漢英對照釋義
- 擴散層（Diffusion Layer）：半導體中載流子（電子或空穴）因濃度差異發生定向擴散的區域，區别于電場驅動的漂移運動。
- 擴散層電阻（Diffusion Layer Resistance）：載流子在擴散過程中因晶格散射、雜質碰撞等産生的等效電阻，符號常表示為 ( R_{text{diff}} )。
物理本質
根據菲克擴散定律，載流子擴散電流密度 ( J{text{diff}} ) 與濃度梯度成正比：

$$ J{text{diff}} = -q Dn frac{dn}{dx} quad (text{電子})

J{text{diff}} = q D_p frac{dp}{dx} quad (text{空穴}) $$

其中 ( D_n, D_p ) 為擴散系數，( dn/dx, dp/dx ) 為濃度梯度。電阻源于載流子遷移率受限及散射損耗。

材料依賴性
- 摻雜濃度：高摻雜導緻離子化雜質散射增強，擴散電阻增大（參考 Semiconductor Device Physics）。
- 溫度：升溫加劇晶格振動散射，但可提高載流子遷移率，存在非線性關系。
器件中的表現
在PN結、雙極晶體管（BJT）中，擴散層電阻與基區或發射區載流子輸運效率直接相關，影響器件開關速度與功耗。典型公式為：

$$ R_{text{diff}} = frac{W}{2D_p tau_p} quad (text{PN結基區電阻}) $$

( W ) 為擴散層寬度，( tau_p ) 為空穴壽命。

參考文獻

Neamen, D. A. Semiconductor Physics and Devices. McGraw-Hill. 鍊接
Sze, S. M. Physics of Semiconductor Devices. Wiley. DOI
Pierret, R. F. Semiconductor Device Fundamentals. Addison-Wesley. 鍊接
IEEE Transactions on Electron Devices, "Carrier Transport in Nanoscale Transistors". DOI

擴散層電阻是半導體器件或燃料電池中的關鍵概念，其具體含義和特性如下：

擴散層電阻指在半導體擴散工藝中，由摻雜材料擴散形成的薄層所呈現的電阻。在半導體中，它通常表現為方塊電阻（Rₛ），即表面為正方形的擴散層在電流方向上呈現的電阻，單位為Ω/□（歐姆每方塊）。

方塊電阻的表達式為： $$ R_s = frac{rho}{x_j} = frac{1}{sigma x_j} $$ 其中：

實際測量中常用四探針法，需對單/雙面擴散層進行修正，公式為： $$ R_s = frac{V}{I} cdot F $$ $F$ 為修正因子，與探針間距和樣品尺寸相關。

總結來看，擴散層電阻是衡量擴散工藝質量的關鍵參數，需結合材料特性、工藝條件和測量方法綜合分析。