扩散层电阻英文解释翻译、扩散层电阻的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 diffused-layed resistor

【化】 diffusion layer

resistance
【计】 ohmic resistance; R
【化】 resistance
【医】 resistance

在电子工程与半导体物理领域，"扩散层电阻"（Diffusion Layer Resistance）指载流子在半导体材料的扩散层区域内移动时受到的阻碍作用。该电阻主要由载流子浓度梯度和散射机制决定，直接影响器件的电流传输效率。以下是详细解释：

汉英对照释义
- 扩散层（Diffusion Layer）：半导体中载流子（电子或空穴）因浓度差异发生定向扩散的区域，区别于电场驱动的漂移运动。
- 扩散层电阻（Diffusion Layer Resistance）：载流子在扩散过程中因晶格散射、杂质碰撞等产生的等效电阻，符号常表示为 ( R_{text{diff}} )。
物理本质
根据菲克扩散定律，载流子扩散电流密度 ( J{text{diff}} ) 与浓度梯度成正比：

$$ J{text{diff}} = -q Dn frac{dn}{dx} quad (text{电子})

J{text{diff}} = q D_p frac{dp}{dx} quad (text{空穴}) $$

其中 ( D_n, D_p ) 为扩散系数，( dn/dx, dp/dx ) 为浓度梯度。电阻源于载流子迁移率受限及散射损耗。

材料依赖性
- 掺杂浓度：高掺杂导致离子化杂质散射增强，扩散电阻增大（参考 Semiconductor Device Physics）。
- 温度：升温加剧晶格振动散射，但可提高载流子迁移率，存在非线性关系。
器件中的表现
在PN结、双极晶体管（BJT）中，扩散层电阻与基区或发射区载流子输运效率直接相关，影响器件开关速度与功耗。典型公式为：

$$ R_{text{diff}} = frac{W}{2D_p tau_p} quad (text{PN结基区电阻}) $$

( W ) 为扩散层宽度，( tau_p ) 为空穴寿命。

参考文献

Neamen, D. A. Semiconductor Physics and Devices. McGraw-Hill. 链接
Sze, S. M. Physics of Semiconductor Devices. Wiley. DOI
Pierret, R. F. Semiconductor Device Fundamentals. Addison-Wesley. 链接
IEEE Transactions on Electron Devices, "Carrier Transport in Nanoscale Transistors". DOI

扩散层电阻是半导体器件或燃料电池中的关键概念，其具体含义和特性如下：

扩散层电阻指在半导体扩散工艺中，由掺杂材料扩散形成的薄层所呈现的电阻。在半导体中，它通常表现为方块电阻（Rₛ），即表面为正方形的扩散层在电流方向上呈现的电阻，单位为Ω/□（欧姆每方块）。

方块电阻的表达式为： $$ R_s = frac{rho}{x_j} = frac{1}{sigma x_j} $$ 其中：

实际测量中常用四探针法，需对单/双面扩散层进行修正，公式为： $$ R_s = frac{V}{I} cdot F $$ $F$ 为修正因子，与探针间距和样品尺寸相关。

总结来看，扩散层电阻是衡量扩散工艺质量的关键参数，需结合材料特性、工艺条件和测量方法综合分析。