栅屏電容英文解釋翻譯、栅屏電容的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 grid-plate capacitance; grid-to-plate capacitance

分詞翻譯：

屏的英語翻譯：

screen
【醫】 screen; shield

電容的英語翻譯：

capacitance; electric capacity
【計】 C
【化】 capacitance; capacity; electric capacity
【醫】 capacitance; electric capacity

專業解析

栅屏電容（Grid-Plate Capacitance），在電子工程領域特指電子管（真空管）内部栅極（Grid）與屏極（Plate/Anode）之間存在的固有寄生電容。以下是其詳細解釋：

定義與物理本質 (Definition & Physical Nature)
- 中文釋義： "栅"指控制栅極（Control Grid），"屏"指陽極或闆極（Plate/Anode）。"電容"指這兩個電極之間因相互靠近且被真空介質隔開而形成的儲存電荷的能力。
- 英文釋義： The inherent capacitance that exists between the control grid electrode and the plate (anode) electrode inside a vacuum tube (thermionic valve), due to their physical proximity and separation by a dielectric (vacuum or small gap).
- 物理構成：這是由電子管内部物理結構決定的。栅極和屏極是金屬電極，它們之間雖不直接接觸，但距離很近，中間是真空（或極小的間隙）。任何兩個被絕緣介質隔開的導體都會形成電容，栅極和屏極也不例外。這個電容是電子管固有的、不可避免的寄生參數。
數學表示與影響因素 (Mathematical Representation & Influencing Factors) 栅屏電容 ( C{gp} ) 的值由平行闆電容的基本公式決定： $$ C{gp} = epsilon frac{A}{d} $$ 其中：
- ( epsilon ) 是電極間介質的介電常數（真空介電常數約為 ( 8.854 times 10^{-12} ) F/m）。
- ( A ) 是栅極與屏極相對的有效面積。
- ( d ) 是栅極與屏極之間的距離。因此，電容值主要取決于管子的物理結構（電極面積、間距）和制造工藝。不同型號電子管的 ( C_{gp} ) 值差異很大，通常在皮法（pF）量級（例如，1pF 到 20pF 不等）。
電路影響與重要性 (Circuit Impact & Significance) 栅屏電容 ( C_{gp} ) 在高頻電子電路中至關重要，因為它會帶來以下主要影響：
- 高頻信號耦合/反饋：在高頻工作時，( C_{gp} ) 的容抗 ( Xc = frac{1}{2pi f C{gp}} ) 會變小。這使得屏極電路的高頻輸出信號能夠通過這個電容耦合回栅極輸入電路。這種反饋通常是正反饋，可能導緻放大器産生自激振蕩（Unwanted Oscillation），破壞電路的正常工作穩定性。
- 米勒效應 (Miller Effect)：在共陰極放大器中，栅屏電容 ( C{gp} ) 會被放大。等效到輸入端的電容會變為 ( C{gp}(1 + |A_v|) )，其中 ( A_v ) 是放大器的電壓增益。這顯著增加了輸入電容，限制了放大器的高頻帶寬（Bandwidth Limitation）。
- 輸入/輸出隔離度降低：它降低了栅極輸入電路和屏極輸出電路之間的隔離度，特别是在高頻下。
應用場景 (Application Context) 栅屏電容的概念主要應用于使用真空管（電子管）的電路分析與設計中，例如：
- 電子管射頻（RF）放大器
- 電子管高頻振蕩器
- 電子管音頻放大器的高頻響應分析
- 在讨論電子管替代品（如晶體管）時，常将其栅源電容 ( C{rss} ) 或反饋電容 ( C{gd} ) 類比為電子管的栅屏電容。

權威性參考來源：

電子工程經典教材與手冊：如《電子管電路基礎》、《Radiotron Designer's Handbook》（RDH4）等詳細闡述了電子管内部電容及其影響。
真空電子學專著：如《Principles of Electron Tubes》深入讨論了電極間電容的形成機制。
電子管制造商數據手冊（Datasheet）：特定型號電子管的規格書通常會明确标注其栅屏電容 ( C{gp} ) 或輸入電容 ( C{in} )（包含栅陰電容 ( C_{gk} ) 和受米勒效應影響的栅屏電容分量）的值，這是最直接的工程數據來源。例如，12AX7/ECC83等常用音頻管的規格書中包含此參數。
專業電子工程網站與知識庫：如維基百科相關條目、IEEE Xplore數據庫中的曆史論文、專業音響論壇的技術文檔等，均會涉及栅屏電容的解釋及其對電路性能的影響分析。詳見專業文獻資料。

網絡擴展解釋

“栅屏電容”是電子工程領域的術語，結合“栅極”與“屏極”之間的電容特性，常見于電子管或場效應晶體管（如MOSFET）等器件中。以下是詳細解釋：

1.核心概念

栅極（Grid）：指電子管或多極器件中靠近陰極的電極，通常由金屬網或螺旋線構成，用于控制電流強度或調節器件性能。
屏極（Plate/Anode）：即陽極，負責收集從陰極發射的電子，形成電流回路。
栅屏電容：指栅極與屏極之間因物理結構形成的寄生電容，屬于非導電體（如真空或絕緣介質）兩側電極的電荷存儲效應。

2.電容的物理意義

電容是衡量兩極闆存儲電荷能力的物理量，定義為“電勢差每增加1伏特所需儲存的電荷量”，公式為：
$$
C = frac{Q}{V}
$$
其中，( C )為電容，( Q )為電荷量，( V )為電壓。

3.栅屏電容的影響

高頻性能限制：在高頻電路中，栅屏電容會形成反饋路徑，可能導緻信號延遲、振蕩或不穩定性。
器件設計考量：電子管設計中需盡量減小栅屏電容，例如通過優化電極間距或使用屏蔽結構。

4.相關應用與器件

電子管：如三極管、五極管，栅屏電容直接影響放大電路的頻率響應。
場效應晶體管（FET）：類似原理下，栅極與漏極之間的電容（( C_{gd} )）對開關速度和功耗有顯著影響。

如果需要更具體的電路分析或數值計算案例，建議參考電子器件手冊或高頻電路設計資料。